一种可降低量子点激发电压的复合薄膜制备方法[发明专利]

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专利名称：一种可降低量子点激发电压的复合薄膜制备方法专利类型：发明专利

发明人：孙林林,石旺舟,马学鸣申请号：CN200510111202.4申请日：20051207公开号：CN1805633A公开日：20060719

摘要：本发明涉及一种可降低量子点激发电压的复合薄膜制备方法，属于先进光电材料技术领域。本发明通过引入高介电常数的铁电材料与发光量子点交替共沉积，获得量子点镶嵌于铁电薄膜中的复合结构，利用其局域场效应，大幅提高了量子点内的电场强度，利用硫磺做保护层进行真空热处理，有效地防止了热处理过程中硫的损失，保证了量子点具有完整的结构。从而达到了降低量子点激发的电压的目的，大大拓展电致发光薄膜材料及器件的应用领域。

申请人：华东师范大学

地址：200062 上海市中山北路3663号

国籍：CN

代理机构：上海德昭知识产权代理有限公司

代理人：程宗德

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