专利名称：平面雪崩光电二极管专利类型：发明专利发明人：柯呈佶,巴里·莱文申请号：CN03803038.1申请日：20030203公开号：CN1625813A公开日：20050608
摘要：本发明包括一种平面雪崩光电二极管，其包括限定平面接触区域的第一n－型半导体层，和具有p－型扩散区域的第二n－型半导体层。该结构进一步的特征包括n－型半导体倍增层、n－型半导体吸收层，以及p－型接触层。进一步的实施例包括一种平面雪崩光电二极管，其具有限定平面接触区域的第一n－型半导体层，n－型半导体倍增层，n－型半导体吸收层，以及与p－型接触层电耦合的p－型半导体层。
申请人：派克米瑞斯公司
地址：美国密执安
国籍：US
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：秦晨
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