专利名称：一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管专利类型：发明专利
发明人：王巍,王川,颜琳淑,胡洁,王婷,杜超雨,王振,袁军申请号：CN201410122853.2申请日：20140328公开号：CN103887362A公开日：20140625
摘要：本发明公开了一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管，包括P型衬底、设置于P型衬底上的N阱层及雪崩区，所述雪崩区设置于所述P型衬底和N阱之间构成PN结，在P型衬底和雪崩区之间还设置有光吸收层，所述光吸收层为设置于P型衬底层上的深N阱，所述深N阱的掺杂浓度大于P型衬底层的掺杂浓度；本发明提高了雪崩光电二极管器件的速率、频率响应和带宽。
申请人：重庆邮电大学
地址：400065 重庆市南岸区黄桷垭崇文路2号
国籍：CN
代理机构：重庆市恒信知识产权代理有限公司
代理人：刘小红
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