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晶振电路

来源：知库网

晶体振荡电路

晶振等效电路

R为晶振等效串联电阻，L、C为晶振的动态电感、电容。Cp为晶振的寄生电容。

图1晶振阻抗随频率变化曲线

串联谐振频率Fs，此时XL=XC.

并联谐振频率Fa。CL为负载电容。

图2晶振并联谐振电路

其中，CS为PCB板上寄生电容（一般为5pF）。C1，C2为外接电容，常见电路中二者取值基本相同。较大的C1，C2可以增强频率稳定性，但会降低回路增益，可能会导致电路启动问题。

图2中，电阻R1为启动电阻，反相器的输出，避免出现晶振过驱动。其取值一般为R1=XC1。将反相器输出信号分压后送入晶振中。需要注意某些电路中不需要R1。RF为反相器反馈电阻，使反相器处于高增益的线性区。取值一般为500K~2M。有些集成器件内部自带该电阻。

晶振谐振电路注意：

（1）选择低等效阻抗的晶振，易于增加开环增益；

（2）晶振到IC引脚线尽可能短，减小寄生电容；

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