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TiAl合金表面阴极微弧等离子体电解沉积制备CeO

来源:知库网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:TiAl合金表面阴极微弧等离子体电解沉积制备

CeO‑AlO复合陶瓷层的方法

专利类型:发明专利

发明人:谢发勤,王少青,吴向清申请号:CN201710800275.7申请日:20170907公开号:CN107557836A公开日:20180109

摘要:本发明涉及一种TiAl合金表面阴极微弧等离子体电解沉积制备CeO‑AlO复合陶瓷层的方法,对阴极微弧沉积预处理技术进行了改进,并首次根据PBR值理论,提出在AlO中掺杂引入低PBR值的CeO,在TiAl合金表面制备均匀、致密、稳定性好的CeO‑AlO复合耐高温耐磨陶瓷层。本发明的优点是:复合陶瓷在TiAl合金表面原位生长,结合力好;预处理技术简单、易于控制;低PBR值CeO掺杂AlO,提高了复合陶瓷层致密性和稳定性,较AlO单一成分陶瓷层有较低的摩擦系数和抗高温氧化性能。

申请人:西北工业大学

地址:710072 陕西省西安市友谊西路127号

国籍:CN

代理机构:西北工业大学专利中心

代理人:王鲜凯

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