专利名称：双层ITO的布线结构专利类型：发明专利发明人：张开立
申请号：CN201210220813.2申请日：20120629公开号：CN1027773A公开日：20121114
摘要：本发明公开了一种双层ITO的布线结构，所述每层ITO上设有若干行及若干列触控电极，每行或每列触控电极由若干个相同的菱形电极相连组成，所述菱形电极的对角沿对角线方向分别向内凹陷形成两个空隙。通过上述方式，本发明能够改善传统电容式触控结构侦测灵敏度不高的问题，明显提高了ITO层的灵敏度和线性度。
申请人：苏州瀚瑞微电子有限公司
地址：215163 江苏省苏州市高新区科技城培源路2号微系统园M1栋3楼
国籍：CN
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