专利名称：一种槽栅功率器件及制造方法专利类型：发明专利发明人：范春晖,王全
申请号：CN201210585498.3申请日：20121228公开号：CN103022097A公开日：20130403
摘要：本发明提供了一种槽栅功率器件及制备方法，包括：带有漏区、漂移区、沟道区、源区的半导体衬底，位于半导体衬底内的沟槽，位于漂移区内的沟槽表面的第一介质层和沟道区内的第二介质层，以及填充于第一和第二介质层中的多晶硅，其中，第一介质层的内壁为斜坡状。本发明还提供一种制备上述槽栅功率器件的方法。本发明的槽栅功率器件中具有斜坡状场板结构，可以调整半导体漂移区中的电场强度，使该区域范围内的电场强度都接近或达到临界电场强度，从而有效提高器件的耐压能力。
申请人：上海集成电路研发中心有限公司
地址：201210 上海市浦东新区张江高斯路497号
国籍：CN
代理机构：上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
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