在半导体存储器件中提高刷新周期[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：在半导体存储器件中提高刷新周期专利类型：发明专利发明人：金鼎笔

申请号：CN03804870.1申请日：20030110公开号：CN1639797A公开日：20050713

摘要：在根据本发明的一个实施例的方法中，一个参考位线被偏置并且一个DRAM单元的刷新周期提高。在这样的方法的一个例子中，参考位线的偏置包括提供一个预定的偏置电压。在根据本发明的一个实施例的存储器件中，一个偏置电路包括一个连接到一个位线的偏置电容并被配置成接收一个偏置信号。

申请人：海力士半导体有限公司

地址：韩国京畿道

国籍：KR

代理机构：北京市柳沈律师事务所

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