一种MOS管及其版图设计方法[发明专利]

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专利名称：一种MOS管及其版图设计方法专利类型：发明专利发明人：王钊,杨晓东

申请号：CN201010530878.8申请日：20101103公开号：CN102044567A公开日：20110504

摘要：本发明揭露了一种MOS管，其包括多个矩形重复单元，该矩形重复单元包括有第一矩形边和与其相对且平行的第二矩形边、第三矩形边和与其相对且平行的第四矩形边，还包括有位于第三矩形边和第四矩形边的中心连线与第一矩形边之间的、起始于第三矩形边而终止于第四矩形边的形的第一带状栅极和位于第三矩形边和第四矩形边的中心连线与第二矩形边之间的、起始于第三矩形边而终止于第四矩形边的形的第二带状栅极。同时本发明的MOS管还可以采用较大的漏极间距。本发明中的MOS管，一方面利用折叠带状的栅极达到了较大的导电沟道宽长比和节省面积的目的；另一方面，当漏极接触孔采取较大的漏极间距，可以达到较好的静电防护效果。

申请人：无锡中星微电子有限公司

地址：214028 江苏省无锡市新区太湖国际科技园清嘉路530大厦10层

国籍：CN

代理机构：无锡互维知识产权代理有限公司

代理人：戴薇

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