专利名称：一种场发射用注射器状ZnO纳米结构阵列的制备方
法
专利类型：发明专利
发明人：徐峰,孙立涛,董方洲,毕恒昌,尹奎波,万能申请号：CN201010607320.5申请日：20101228公开号：CN102061498A公开日：20110518
摘要：一种场发射用注射器状ZnO纳米结构阵列的制备方法，是基于水溶液体系的两步合成法，首先采用电化学沉积方法直接在导电玻璃基底上生长ZnO纳米柱阵列；然后通过水溶液化学生长方法在原先的ZnO纳米柱端面上外延生长纳米针。本发明中的注射器状ZnO纳米结构阵列采用两步合成法制备，既保证了ZnO纳米结构阵列在导电基底上的附着强度，提高了电学传导性能，又实现了利于电子发射的尖状纳米结构的可控生长，改善了阵列结构的场发射性能。
申请人：东南大学
地址：210096 江苏省南京市玄武区四牌楼2号
国籍：CN
代理机构：南京经纬专利商标代理有限公司
代理人：李纪昌
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