专利名称：一种C、N共掺杂ZnO纳米结构阵列的制备方法专利类型：发明专利发明人：邵艳秋,于平,王丽杰申请号：CN201910531668.1申请日：20190619公开号：CN110102333A公开日：20190809
摘要：一种C、N共掺杂ZnO纳米结构阵列的制备方法，涉及一种ZnO纳米结构阵列的制备方法。是要解决现有的ZnO催化材料难以回收再利用的问题。方法：一、制备种子层溶液；二、在FTO导电基底上制备ZnO种子层；三、C、N共掺杂Zn(OH)F纳米结构阵列的制备；四、煅烧，样品用管式炉烧结，即完成。本发明的C、N共掺杂的ZnO纳米结构阵列通过简单的一步法在玻璃基底上生长，光催化过程中，稳定高效的光催化剂固定在玻璃基片上参与完成催化反应，不会溶解在水体中，不会对水体造成二次污染，便于光催化材料的回收再利用。本发明用于催化材料领域。
申请人：牡丹江师范学院
地址：157012 黑龙江省牡丹江市爱民区兴中路文化街19号
国籍：CN
代理机构：哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司
代理人：侯静
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