专利名称：纳米非极性面GaN锥形阵列材料专利类型：实用新型专利
发明人：王新中,唐飞,李世国,张宗平,何国荣,谢华申请号：CN201320122513.0申请日：20130318公开号：CN203205451U公开日：20130918
摘要：本实用新型公开了一种纳米非极性面GaN锥形阵列材料。该纳米非极性面GaN锥形阵列材料包括依次层叠结合的铝酸锂衬底层、氮化镓缓冲层和氮化镓模板层以及生长在所述氮化镓模版层外表面的氮化镓纳米锥。本实用新型纳米非极性面GaN锥形阵列材料在氮化镓层外表面生长有氮化镓纳米锥，且该氮化镓纳米锥阵列分布。同时，该无金属杂质污染，晶体质量高。
申请人：深圳信息职业技术学院
地址：518172 广东省深圳市龙岗区龙翔大道2188号
国籍：CN
代理机构：深圳中一专利商标事务所
代理人：张全文
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