单晶考试题

品管部区熔岗位测试题（共100分）

姓名： 时间 得分

一、选择题：（每题1分，共14分）

1、晶体通常有___A___的几何形状。 A、规则 B、不规则

2、晶体有 A 的熔点。

A、固定 B、不固定

3、半导体生长中，按其掺入的杂质分为 B 类。 A、一类 B、二类 C、三类

4、一般在P型单晶的生产中，通常以掺 C 为主。

A、磷 B、锑 C、硼 D、铝

5、在太阳能单晶的生产中，主要以拉制 A 为主； 其电阻率一般以 C D 为主； A、P型 B、N型 C、0.5～3Ωcm D、3～6Ωcm1、

6、当硅中掺有硼杂质时拉出的单晶为A 。 A. P型 B. N型

7、电阻率是半导体生产中常用的一个参数，用字母B 表示。 A. R B. ρ

8、在一块半导体中常常同时含有施主和受主杂质，当施主数量超过受主时，半导体呈现出B 型号。 A. P型 B. N型

9、在一块半导体中，如果因施主和受主的数量相等而产生复合，这种现象称为A 。

A. 高度补偿 B. 互相抵消

10、当硅中掺有受主杂质时拉出的单晶其型号为B。 A、N型 B、P型

11、在有补偿的情况下，决定导电能力的是施主和受主的B。 A、型号之差 B、浓度之差

12、一般在掺硼的单晶生产中，拉出单晶的型号为A。 A、P型 B、N型

13、在太阳能单晶的生产中，主要以拉制 C 为主； 其电阻率一般以 B D 为主；

A、N型 B、0.5～3Ωcm C、P型 D、3～6Ωcm

14、在半导体中导电是靠电子和空穴的移动来完成的，因此电子和空穴被称为载流子；那么在P型半导体中，空穴是B载流子。 A、少数 B、多数

二、填空题：（一空一分，共40分）

1，硅原子 SI ,原子系数14，最外层电子4.

2，半导体硅是微电子工业重要基础材料，目前世界有 直拉（cz）和 区熔（fz）两种方法制备硅单晶， 其中85%以上是用直拉（cz）工艺制做的。

3，根据物质的导电性质，可以将它们（物质）分为 导体 、半导体 , 和绝缘体 ， 二氧化硅是绝缘体。

4，单晶生长的晶向是由 仔晶 决定的，写出你知道的硅晶体生长的三个不同的晶向<111>、<100>、<110>或<511>。

5，硅约占地壳总重量的27.72%，其丰度( 可以理解为含量)仅次于氧，排在第2位；硅有晶态和无定形两种，晶态硅具有金刚石结构熔点为1420℃。

6，半导体材料，靠导带中的电子或空穴导电, 导带中靠电子导电的半导体称为N型 半导体, 导带中靠空穴导电的半导体称为 P型半导体。

7，拉晶过程中向炉内通入气体的是 Ar ,维持炉室的压力为 20-50Torr, 常用露点来表示该气体的纯度，露点越低则气体中的 水分 含量越 低。

8，单晶炉冷却水入口压力为1.4 kg/cm2 ,用公制单位表示为 0.14 Mpa,此时控制柜上水流指示灯为 绿；当冷却水压力不足时指示灯为 红，加热电源在3min时间内自动跳闸。

9，在晶体中，原子的排列发生错乱的区域称为位错。

三、名词解释：（每题三分，共六分）

1,什么是载流子：

答：载流子可称为负载电流的离子，如金属中的电子、半导体中的电子和空穴。 2，SOP含义：

答：设备标准操作规程。

四、问答题：（每题5分，共40分）

1,简述制备单晶硅的两种常用方法及常见的单晶晶向。

答：a，直拉法简称cz：把高纯的多晶硅放入石英坩埚，在单晶炉内熔化，然后用一根固定在籽晶夹头上的籽晶插入熔体表面，待籽晶与熔体熔合后慢慢向上提拉籽晶，晶体便在籽晶上生长的方法。

b，区熔法：将晶锭垂直固定，在下端放籽晶，利用熔体的表面张力，在籽晶上沉积单晶硅的方法。

常见单晶晶向有<111>,<100>,<110>. 2,简述太阳能单晶主要技术参数。

答：太阳能单晶的主要技术参数有，单晶晶向、电阻率、导电类型、少子寿命、直径、电阻率径向变化、间隙氧含量和碳含量。 3，单晶收尾的目的。

答：防止为错反延，减少热冲击。 4，擦炉时应该穿戴的防护用具。

答：穿连体防护服，鞋套，戴好口罩、帽子，封闭好脖子，头发，脚脖子等处，防止有害粉尘进入。戴防护眼镜，防止碎片或粉尘颗粒飘入眼睛，特别要防止酒精溅入眼睛。

5，CZ硅单晶中间隙氧和代位碳在晶体中的纵向大致如何分布？ 答：氧含量头部高尾部低，碳含量头部低尾部高。