以解决问题
刘胜利的书上用EI28磁芯，绕变压器的问题
1.主绕组和副边绕组之间是不是还有加胶带绝缘呀?
2.副绕组和主绕组是不是都绕在“E”字铁芯，中间的那一横上。 3.主绕组是不是一定要绕在最里面一层，副绕组一定要绕在外面一层，把主绕组给裹起来。 副绕组能在里面吗
1、不一定，初次级抗电强度要求高时需要垫，抗电强度要求很低时可以不垫。 2、是。
3、不一定。次级可以绕在里层。也有将初级分成两半，分别绕在最外和最内，夹着次级的绕法(三明治绕法)，甚至有将初级次级都分成多个夹绕的绕法。
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如果是多路输出那反射电压是不是算主输出呢?恳求高手指点 还看到 固定220V输入的反射电压为135V 好象都是默认的一样 不知道有没有道理
是不是暗含着输出为5V 计算的呢
你提的問題很好,這是很多人搞了N年電源也沒有明白的問題,
設定VOR=135V就相當於設定了D=135V/[135+(220*1.414-30V)]=0.32,VOR根據
實際而定.VOR=N(VO+VF),VOR根據哪組輸出的匝比算都是可以的, 有很多人不明白的是為什麼電流大的那一組VPP會高很多?實際上VPKPK=VOR+VLS(漏感電電壓),電流越大,VLS就大,VOR沒有變.
《单端反激电源空载振荡的解决办法》正文：
单端反击电源在空载的情况下，在某些工作点处会发生振荡现象，表现为变压器的啸叫和输出的不稳定发生这种现象是由于空载/轻载时开关瞬时开通时间过大，造成输出能量太大因此电压过冲也很大，需要较长的时间去恢复到正常电压，因此开关需停止工作一段时间这样开关就工作于间歇性工作模式 为了解决这种振荡，有多种方案
1． 假负载法：即在单端反击电源的输出端加上假负载，这样使得电压过冲减小或消失，但太大的假负载会使单端反击电源的效率降低而且即使在轻载的情况下，在某一特定工作点也有可能发生振荡
2． 在轻载时限制开关管的脉宽，使单端反激电源在轻载时工作于DCM模式，而
在负载加大时工作于CCM模式这样可在轻载时有效降低传递到输出端的能量，从而抑制振荡如对于使用3842芯片的开关电源来说，有一个较为有效的解决办法是在锯齿波输出脚和电流检测脚之间接入一个PF级的电容，利用锯齿波下降沿产生的抽流作用将检测到的电流信号中因为门极驱动产生的信号剔除，从而可以使得开关管得到一个最小的开通时间去保持输出，此时电源工作在DCM方式，也可能会出现间歇工作模式，只不过每个开关周期传递到副边的能量很小，因此不会出现振荡现象
要有效的抑制单端反激电源的空载振荡应综合采用多种方法，同时应在各种工作条件下测试以完全避免其振荡现象
“线路主开关管的耐压Vmos”在TOPSwitch系列中是否就是TOP管的耐压值? “副边反射电压即反激电压Vf”可否理解就是原边产生的反向电动势? “留有一定的裕量150”是否就是漏感产生的尖峰电压? “一般连续模式设计,我们令Ip2=3Ip1
这样就可以求出变换器的原边电流,由此可以得到原边电感量: Lp= DMax•VinDCMin/fs•ΔIp
对于连续模式,ΔIp=Ip2-Ip1=2Ip1;对于断续模式,ΔIp=Ip2 . 可由AwAe法求出所要铁芯:”你说相反是哪里相反? AwAe=(Lp•Ip22•104/Bw•K0•Kj)1.14
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乞力马扎罗的雪 称号:高级工程师 积分: 918分 发帖: 2102帖 第29帖 2003-10-22 09:45
希望对你有用.
1,Vmos在TOP系列中就是TOP管的耐压. 2,可以理解为原边产生的反向电动势.
3,留有裕量,一方面是要考虑漏感产生的尖峰,令一方面是考虑到开机的前几个周期里MOS上的电压比较高.
4,文章里没有说反,是论坛里的几句说反了.
工作接地按工作频率而采用以下几种接地方式：
1. 单点接地工作频率低（<1MHz）的采用单点接地式（即把整个电路系统中的一个结构点看作接地参考点，所有对地连接都接到这一点上，并设置一个安全接地螺栓），以防两点接地产生共地阻抗的电路性耦合。多个电路的单点接地又分为串连和并联两种，由于串联接地产生共地阻抗的电路性耦合，所以低频电路最好采用并联的单点接地式。为防止工频和其它杂散电流在信号地线上产生干扰，信
号地线应与功率地线和机壳地线相绝缘。且只在功率地、机壳地和接往大地的接地线的安全接地螺栓上相连（浮地式除外）
地线的长度与截面的关系为：
S>0.83L （1）
式中：L——地线的长度，m；
S——地线的截面,mm2。
2. 多点接地
工作频率高（>30MHz）的采用多点接地式（即在该电路系统中，用一块接地平板代替电路中每部分各自的地回路）。因为接地引线的感抗与频率和长度成正比，工作频率高时将增加共地阻抗，从而将增大共地阻抗产生的电磁干扰，所以要求地线的长度尽量短。采用多点接地时，尽量找最接近的低阻值接地面接地。
3. 混合接地工
作频率介于1～30MHz的电路采用混合接地式。当接地线的长度小于工作信号波长的1/20时，采用单点接地式，否则采用多点接地式。
4. 浮地浮地式即该电路的地与大地无导体连接。其优点是该电路不受大地电性能的影响；其缺点是该电路易受寄生电容的影响，而使该电路的地电位变动和增加了对模拟电路的感应干扰；由于该电路的地与大地无导体连接，易产生静电积累而导致静电放电，可能造成静电击穿或强烈的干扰。因此，浮地的效果不仅取决于浮地的绝缘电阻的大小，而且取决于浮地的寄生电容的大小和信号的频率。
三相五线制的学问就在于这两跟\"零线\"上,在比较精密电子仪器的电网中使用时,如果零线和接地线共用一根线的话,对于电路中的工作零点会有影响的,虽然理论上它们都是0电位点,如果偶尔有一个电涌脉冲冲击到工作零线,而零线和地线却没有分开,比如这种脉冲却是因为相线漏电引起的,再如有些电子电路中如果零点飘移现象严重的话那么电器外壳就可能会带电,可能会损坏电气元件的,甚至损坏电器,造成人身安全的危险.
零线和地线的根本差别在于一个构成工作回路,一个起保护作用叫做保护接地,一个回电网,一个回大地,在电子电路中这两个概念是要区别开来的,在正规公司里,这两根线规定要分开接.
现在实际中还有一种三相六线的接法,除工作零线,保护接地外,还专门另配一路接地线,这根线跟设备地线分开来接,不与其他任何线相接,用做对仪器设备的保护,因为电气件的损坏往往只几微秒的时间,所以要将误动作电流更快的引回大地,需要仪器直接接地. 1、结构的区别：
零线（N）： 从变压器中性点接地后引出主干线。
地线（PE）：从变压器中性点接地后引出主干线，根据标准，每间隔20-30米重复接地。
2、原理的区别：
零线（N）： 主要应用于工作回路，零线所产生的电压等于线阻乘以工作回路的电流。由于长距离的传输，零线产生的电压就不可忽视，作为保护人身安全的措施就变得不可靠。
地线（PE）： 不用于工作回路，只作为保护线。利用大地的绝对“0”电压，当设备外壳发生漏电，电流会迅速流入大地，即使发生PE线有开路的情况，也会从附近的接地体流入大地。
在插座中火线标志为L，零线为N，地线为E并且有三横接地标志
比如三孔插座的最上一孔是插地线的.主要是防止电器外壳漏电而导致人身触电，起保护作用~
火线及零线是接负载实际用电的。
火线地线零线 为了使交流电有很方便的动力转换功能， 通常工业用电，三根正弦交流电。电流相位(反映电流的方向 大小)相互相差120度。通常我们将每一根这样的导线称为相线(火线),通常电力传输是以三相四线的方式，三相电的三根头称为相线，三相电的三根尾连接在一起称中性线也叫\"零线\"。叫零线的原因是三相平衡时刻中性线中没有电流通过了，再就是它直接或间接的接到大地，跟大地电压也接近零。地线是把设备或用电器的外壳可靠的连接大地的线路，是防止触电事故的良好方案．火线又称相线，它与零线共同组成供电回路。在低压电网中用三相四线制输送电力，其中有三根相线一根零线。为了保证用电安全，在用户使用区改为用三相五线制供电，这第五根线就是地线，它的一端是在用户区附近用金属导体深埋于地下，另一端与各用户的地线接点相连，起接地保护的作用。
火线、零线、地线的颜色
按我国现行标准，GB2681中第3条依导线颜色标志电路时，一般应该是相线－A相黄色，B相绿色，C相红色。零线－淡蓝色。地线是黄绿相间。如果是三
相插座，左边是零线，中间（上面）是地线，右边是火线 用电分为动力用电和家用电．
动力用电就是常说的380伏电,多用于工厂.这种电多是三相四线.四线中三根火线,一根零线.火线是指三相四线电网A B C中的任意一相,零线是指三相四线对地无电压有电流的那一根电线, 三根火线经过负载如电动机等用电设备后都经过零线形成回路,设备才能正常工作.零线在发电厂是接地的. 一般情况下，三相电路中火线使用红、黄、蓝三种颜色表示三根火线，零线使用黑色。
家用电是指我们常说的220伏电也叫单相电,有两根线,一根火线,一根零线.火线经过负载如灯泡等用电器后经零线形成回路,用电器才能正常工作.这里的零线在发电厂也是接地的.单相照明电路中，一般黄色表示火线、蓝色是零线、黄绿相间的是地线。也有些地方使用红色表示火线、黑色表示零线、黄绿相间的是地线。一般情况下红色是火线，蓝色是零线，黑色是地线.
动力电和家用电的零线虽然在发电厂都是接地的,但我们平时说的地线和零线不是一个概念.你看我们家里的三孔电源插座,如果是正规施工,其中一个孔是火线,一个孔是零线,一个孔是地线.这里的地线整座楼汇集后接地.这才是常说的地线.多数家用电器都要求要接地线,就是要和这根地线接在一起.
火线是带电的,地线和零线是不带的,家用两插孔的插座里有一根火线,一根零线,用电笔能测出带电来的是火线,不带电的是零线,三插孔的插座里才有地线,地线要连接在用电器的外壳上,以防止电器漏电使人触电伤亡。
另外，家用插座里各孔的接线位置是有规定的，如果拆开插座可以看到，标有L标记的点是接火线的，N标记的是接零线的，地线有个专门的接地符号。不懂的人千万不要乱接（特别是地线的位置），否则可能造成严重后果。 地线是作为电路电位基准点的等电位体。这个定义是不符合实际情况的。实际地线上的电位并不是恒定的。如果用仪表测量一下地线上各点之间的电位，会发现地线上各点的电位可能相差很大。正是这些电位差才造成了电路工作的异常。电路是一个等电位体的定义仅是人们对地线电位的期望。HENRY 给地线了一个更加符合实际的定义，他将地线定义为：信号流回源的低阻抗路径。这个定义中突出了地线中电流的流动。按照这个定义，很容易理解地线中电位差的产生原因。因为地线的阻抗总不会是零，当一个电流通过有限阻抗时，就会产生电压降。因此，我们应该将地线上的电位想象成象大海中的波浪一样，此起彼伏。 目前，我们使用的电源插座大多是单相三线插座或单相二线插座。单相三线插座中，中间为接地线，也作定位用，另外两端分别接火线和零线，接线顺序是左零右火，即左边为零线，右边为火线.凡外壳是金属的家用电器都采用的是单相三线制电源插头。三个插头呈正三解形排列，其中上面最长最粗的铜制插头就是地线。地线下面两个分别是火线（标志字母为\"L\"Live Wire）零线（标志字母为\"N\"Naught wire），顺序是左零右火，（插头背面对着自己本人时）。 地线通过深埋的电极与大地短路连接。市电的传输是以三相的方式，并有一根中性线，三相平衡时中性线的电流为零，俗称\"零线\"，零线的另一个特点是与地线在系统总配电输入短接，电压差接近为零。三相电的三根相线与零线有220电压，会对人产生电击，俗称\"火线\"。 为什么会触电?
磁控溅射电源空载仿真分析
有的人误以为零线就是地线,把家用电器的接地和零线接一起,那么火线在和零线形成回路的同时也和家用电器的外壳形成回路,使外壳带电,尤其是在零线因故障已断开而电源插座接地又不好的情况下更容易触电. 1、零线:在家庭用电中,零线通常是指从变压器接地体引出来的线,它的接电阻有严格的规定,必须小于等于0.5欧姆，这样才能保证用电设备正常使用； 2、火线:是相对于零线来说的,通常家庭用电只是用三相电的其中一相,它的线电压为220伏,它是通过零线构成回路使家用电器工作的;
3、地线:我们给家用电器接的电线，通常是为了安全和消除静电而接的地线，它对接地电阻没有严格的要求，通常是比较大的，对地电压没有电流通过时为零，把它做为用电器的零线是无法让设备正常工作的；
4、中线： 就是将用电设备的金属外壳与电源（发电机和变压器）的接地线做金属连接起来的那条线，它要求供电给用电设备的线路中的熔断器或空气开关，在用电设备一相碰壳时，能够以最短的时间断开电路，从而保护设备和人生安全；
5、家中的插座不是三相插座而是三线插座，它的中间是接地线的，两边是用来接零线和火线的，虽然电工手册上也有左零右火的规定，但我们在实际生活中要求并不那么严格。
照明电路里的两根电线,一根叫火线,另一根则叫零线。火线和零线的区别在于它们对地的电压不同：火线对地电压为220V，零线对地电压为0. 家里的一般是三孔插座不是三相插座，中间是接地线,两边是火线和零线,右边为火线(L)，左边为零线(N).
火线和零线的区别在于它们对地的电压不同：火线对地电压为220V，零线对地电压为0
中线是从发电机或电力变压器中性点引出的线，如果它不接地就称为中线，如果将它良好接了地（大地为零电位），此时的中线就又称为零线了。民用电的零线和地线虽然都从同一点引出，但它们各自的功能是分开的，不能混用。比如零线和火线是用电的回路线，它们和电器的外壳是缘的，线里流动的电流是同样大小的，故线径是同样的粗细。而地线是和电器的外壳相联的，当电器有故障时当中才有电流流通，一般没有电流，故其线径要细得多。零线和火线是用电的回路，故绝不能将零线接到外壳上，那会使人触电的。 火线和零线区别
火线和零线都是带电的线,。零线不带电是因为电源的另一端(零线)接了地,我们在地上接触零线的时候，因为没有位差,就不会形成电流。零线和火线本来都是由电源出来的,电流的正方向就是由一出,经过外部设备,从另一端进.形成 一个回路。零线和火线的区别就是电源的两个端子其中的一个接了大地 零线和地线区别
1.零线和地线这两个是不同的概念，不是一回事。
2.地线的对地电位为零。使用的电器的最近点接地。 3.零线的对地电位不一定为零。零线的最近接地点是在变电所或者供电的变压器处。
4.零线有时候会电人，在什么时候呢？当你的电炉子不发热了，千万不要以为没电了，不会电人，错啦！有可能存在这样的可能，离你的电器很沅的地方N线断开了，用电压表一量会发现，电器的LN线都是市电的电压！
5.地线不会电人，除非很糟的情况，设计者不懂，或者胡乱搞的产品！ 6.在你的电路中有零线和地线的话，你会发现有一个高耐压电容在他们中间。
分布电容
目录
定义 1.电感线圈的分布电容 2.变压器的分布电容 3.输出变压器层间分布电容 编辑本段 定义 分布电容是指由非电容形态形成的一种分布参数。一般是指在印制板或其他形态的电路形式，在线与线之间、印制板的上下层之间形成的电容。这种电容的容量很小，但可能对电路形成一定的影响。在对印制板进行设计时一定要充分考虑这种影响，尤其是在工作频率很高的时候。
编辑本段
1.电感线圈的分布电容
线圈的匝和匝之间、线圈与地之间、线圈与屏蔽盒之间以及线圈的层和层之间都存在分布电容。分布电容的存在会使线圈的等效总损耗电阻增大，品质因数Q降低。高频线圈常采用蜂房绕法，即让所绕制的线圈，其平面不与旋转面平行，而是相交成一定的角度，这种线圈称为蜂房式线圈。线圈旋转一周，导线来回弯折的次数，称为折点数。蜂房绕法的优点是体积小，分布电容小，而且电感量。蜂房式线圈都是利用蜂房绕线机来绕制的，折点数越多，分布电容越小。
编辑本段
2.变压器的分布电容
变压器在初级和次级之间存在分布电容，该分布电容会经变压器进行耦合，因而该分布电容的大小直接影响变压器的高频隔离性能。也就是说，该分布电容为信号进入电网提供了通道。所以在选择变压器时，必须考虑其分布电容的大小。
编辑本段
3.输出变压器层间分布电容
输出变压器层间分布电容对音频信号的高频有极大的衰减作用，直接导致音频信号在整个频带内不均匀传输，是音频信号失真增大的主要因数。为了削弱极少的分布电容就要采用初级每层分段的特殊绕法，以降低分布电容对音频信号的衰减。
请教各位：如何降低变压器产品的分布电容，但又要考虑到漏感不能太低。
一个办法，初级与次级之间多绕几层胶带试一下，求得电容与漏感的平衡；另一个办法可以在初级与次级之间加屏蔽带，效果最明显；从绕法上也可以，采用梯形绕法，即两层绕的匝数不同。
最简单的2绕组变压器，用lrc数字电桥测的时候，直接接初级和次级测得，但这个是初级分布电容还是次级分布电容？请高手详细介绍一下！
答：这个是初、次级之间的分布电容。初级绕组相当于一个电容器的极板，次级
之间也相当于一个极板，两个极板相互靠近又没有直接接触，这样形成了一个类似于电容器的结构，称之为分布电容。
请问各位高人绕制环牛时在牛(变压器)的初次级间加屏蔽层并接地会对声音有影响吗？
这样做是好还是不好？望各位养牛高手解答一下，谢谢?
初级次级之间的屏蔽主要是解决电屏蔽，用非导磁性的就可以了，铜或者铝都可以，效果是铜好，不过要注意不要短接了。牛外壳主要是解决磁屏蔽，用导磁性比较好就可以了，比如矽钢片或者铁。
屏蔽层不能短路...
是否可以用市面上卖的用来补锅的铝胶纸来屏蔽?不能短路就是说屏蔽层头尾不能相接,包个C型?
搭上也好办...加绝缘纸..
winding英音：['waindiŋ]美音：['waɪndɪŋ]
以下结果由
译典通提供词典解释
名词 n. 1.
绕,卷绕[U]
2.
卷绕物(线,钢丝,铁丝等)[C] 3.
卷法,绕法,(卷绕的)一圈,一转[C][U] 4.
【电】线圈,绕组[C]
5.
弯曲,卷曲;迂回曲折的方法(或行为)[C][U]
形容词 a. [Z] 1. 卷绕的
2.
弯曲的;曲折的;迂回的
语法标注解释
shield英音：['ʃi:ld]美音：['ʃild]
以下结果由
译典通提供词典解释
名词 n. [C] 1. 盾
2.
保护者;庇护者
3.
防护物;护罩,挡板
Dark glasses is an effective shield against the glare. 墨镜有效地阻隔强光保护眼睛。 4.
盾状物;盾形徽章
5.
【动】背甲,头胸甲;龟甲板
及物动词 vt. 1.
保护;保卫[(+from)]
Her hat shielded her eyes from the sun. 她的帽子遮住太阳光保护她的眼睛。 2.
庇护;包庇;掩盖
He lied to the court to shield his friend. 他对法庭说谎以包庇自己的朋友。 3.
挡开,避开[(+off)]
These trees will shield off arid winds and protect the fields. 这些树林能挡住旱风,保护农田。
不及物动词 vi. 1.
保护,防御
以下结果来自互联网网络释义
shield
1. 地盾
地理相关英语词汇 - 奥鹏学习论坛 奥鹏学... shield 地盾
http://bbs.open.com.c...
2. 保护
英语六级必考词汇-大学英语六级必考500词...
426. shield v. 保护
http://www.027bbs.net...
3.
罩，屏蔽，防护物
医学翻译词汇 811－840|医学翻译词汇... shield 罩，屏蔽，防护物
Shield winding ： 屏蔽绕组
谈谈变压器上的磁屏蔽问题
谈谈变压器上的磁屏蔽问题？变压器的磁屏蔽主要是初次级绕组间的电磁屏蔽，和变压器对整个电路板的电磁屏蔽。现在我想问的是各位对变压器工艺上的处理问题。
在对初次级绕组进行屏蔽时，我们往往采用两种方法进行屏蔽，
一，用软铜皮上焊引线接地，而这时我们又有两种选择，接初级的接地引脚还是次级的接地引脚？他们的效果有什么不同吗？还有如果我接屏蔽带时，绕制方向反拉有影响吗？
二，用多股线做屏蔽，请问这样有什么好的？利用什么特性呢？
在对变压器屏蔽时，我们一般都采用在变压器骨架外绕一层铜皮。可有的屏蔽带有接地，有的又没有？我想接地肯定比不接地好？可为什么很多开关电源工程师没强调要呢？
回复2008-09-02 11:21本贴由 3 在 1970-01-01 08:00:03 编辑
1楼huangli234| 助理工程师 (316) | 发消息
理论上讲,单纯磁屏蔽勿需接地.但实际应用中常要兼顾电/电磁屏蔽,所以接地没有害处. 电/电磁屏蔽另当别论.
回复2008-09-02 11:27
2楼stars| 工程师 (499) | 发消息
接地当然是要接输出地了，主要原因还是安规要求，初级地是热地，不符合安全规范。
回复2008-09-02 13:23
3楼伟林电源| 论坛达人 (11885) | 发消息 cmg兄解释得很详细了，感谢。。。。
回复2008-09-02 13:36
4楼cmg| 副总工程师 (3736) | 发消息
[quote]原帖由 楼主 于 2008-09-02 11:21:23 发表
谈谈变压器上的磁屏蔽问题？变压器的磁屏蔽主要是初次级绕组间的电磁屏蔽，和变压器对整个电路板的电磁屏蔽。现在我想问的是各位对变压器工艺上的处理问题。
在对初次级绕组进行屏蔽时，我们往往采用两种方法进行屏蔽，
一，用软铜皮上焊引线接地，而这时我们又有两种选择，接初级的接地引脚还是次级的接地引脚？他们的效果有什么不同吗？还有如果我接屏蔽带时，绕制方向反拉有影响吗？
二，用多股线做屏蔽，请问这样有什么好的？利用什么特性呢？
在对变压器屏蔽时，我们一般都采用在变压器骨架外绕一层铜皮。可有的屏蔽带有接地，有的又没有？我想接地肯定比不接地好？可为什么很多开关电源工程师没强调要呢？
[/quote]
首先你有个概念的错误，就是磁屏蔽和电场屏蔽。低频的磁屏蔽只能用磁心来做，也不存在接地的问题，在电源中极少有人使用。我看你的核心是EMI的电场屏蔽。
一：在对初次级绕组进行屏蔽用铜箔时，要接到初级的静端，就
是电解高压端或地线端，它的目的是把初级对次级的分布电流引回初级；如果铜箔接次级地，则只是把次级对初级的分布电流挡回，而这个电流是很小的，并且由于铜箔的面积大，反而可能加重初级对次级的分布电流而使EMI增大；还有一个方法是两层铜箔屏蔽，初级接初级静端，次级接次级静端（次级地或滤波电容正），这样可以把两个方向的电流都切断，并且两者处于相同的交流电位而互相没有电流，获得极好的EMI效果，我曾经用这个方法做到40W没有Y电容。
如果只用一层铜箔，如接初级地线，绕制方向是有影响的，这个和次级整流管的位置有关，当然你引线如果接到铜箔中间点则无影响。
二：多股线屏蔽是利用电场对消原理，说起来比较复杂，不是几句话能说清楚的，好处就是比铜箔节约成本。
回复2008-09-02 14:21
7楼dtsang20| 本网技师 (202) | 发消息
\"如果只用一层铜箔，如接初级地线，绕制方向是有影响的，这个和次级整流管的位置有关，当然你引线如果接到铜箔中间点则无影响。\"
CMG能解释一下吗？谢谢。
回复2008-10-15 15:44
8楼cmg| 副总工程师 (3736) | 发消息
当你接铜箔一端时，铜箔也是一个绕组，只是只有一圈罢了。是绕组就有绕向的问题。你自己试验一下不是更好吗。有些东西不方便讲。
回复2008-10-15 21:20
10楼greendot| 副总工程师 (2664) | 发消息 我也不明白。
一圈铜箔，顺时针和逆时针绕，结果不是一样吗，那有分别？
引线点不同，想不通有什么关系，是改变了电场磁场吗？
回复2008-10-16 12:59
14楼cmg| 副总工程师 (3736) | 发消息 铜箔相对于初次级的电位是不一样的。
回复2008-10-16 17:35
18楼greendot| 副总工程师 (2664) | 发消息 恩，是相位。我这样分析行不行：
1。初级/铜箔匝比较大，铜箔上的感应电势，比起初级边的
电压小的多，当作零也可以，铜箔哪一端接地，分别都不大。
2。但反过来，次级/铜箔匝比较小，铜箔上电势，比起次级边的电压，不能被忽略了，哪一端接地，会影响次级/铜箔间的电场分布和等效电容，这跟次级接整流管是哪一端有关了。
回复2008-10-17 19:26
19楼cmg| 副总工程师 (3736) | 发消息
有些道理。但我这边因为公司有一些规定，有些东西不好说。请谅解！
回复2008-10-17 20:11
20楼greendot| 副总工程师 (2664) | 发消息
这个明白的。下面是我的观察，不管对不对，不方便的话，就不必回复了。
我看了一下PI的文章，shield winding和次级的匝数基本是一样的，相位也是一样的，这样SW上的电势和次级电压便是镜像了，两者间AC电压差是零 (两者间有的共模电压外)，等效电容是零，noise不能有效通过，阻断了它的传输。
回复2008-10-17 23:27
21楼jacki| 助理工程师 (386) | 发消息 有道理
回复2008-10-20 11:26
38楼静心| 工程师 (419) | 发消息 倒数3
回复2010-01-29 15:15
5楼接触7| 助理工程师 (324) | 发消息
谢谢,我的命题错了 呵呵. 至于多股线屏蔽 这个可不可以简单的说下呢
回复2008-09-02 15:30
6楼磁鑫| 助理工程师 (310) | 发消息 水平很高
回复2008-09-04 10:11
9楼我爱美女| 工程师 (607) | 发消息 听不懂
回复2008-10-15 22:14
11楼kinderla01| 助理工程师 (346) | 发消息 受益~
回复2008-10-16 13:11
12楼liu1337| 副总工程师 (2060) | 发消息
CMG兄，你说的“如果铜箔接次级地，则只是把次级对初级的分布电流挡回，而这个电流是很小的，并且由于铜箔的面积大，反而可能加重初级对次级的分布电流而使EMI增大”
意思是不是说如果用铜箔屏蔽次级绕组时可能效果更差是吗，最好的就是加两层屏蔽是不是？？
回复2008-10-16 15:48
13楼cmg| 副总工程师 (3736) | 发消息 是啊。
回复2008-10-16 17:33
16楼liu1337| 副总工程师 (2060) | 发消息
CMG兄，如果只对初级加屏蔽比加两层屏蔽差多少，这个你有没有测试过？还有变压器如果是初级，次级夹杂着绕，怎么加屏蔽好一些呢？
回复2008-10-17 08:17
17楼cmg| 副总工程师 (3736) | 发消息
初、次级都加屏蔽由于工艺复杂，安规问题，及占用空间等实际上少有人用。我也只是在做40-50W无Y电容设计时用过。所以一般设计不用考虑它。
三明治的屏蔽绕法很多种，这个要和其他滤波电路配合，没有唯一的方法。
回复2008-10-17 09:49
23楼liu1337| 副总工程师 (2060) | 发消息 能不能举个实例呢？
回复2008-10-21 14:55
15楼dianyuan21| 工程师 (838) | 发消息
我们这里也多用铜线来做EMI，效果还可以（个人经验是圈数越多，幅宽越大，其变压器的EMI负的越多，受次级影响越大。）！特别是输出稳压用的431性能不好的话，变压器EMI太差整个电源就不能正常工作了。不过这也只是一部分，整机的EMI还是把变压器装上去后才知道。
以上只是个人意见，不知道可对，还请多多指证！
回复2008-10-16 23:19
22楼fengzi| 本网技师 (262) | 发消息 很好
回复2008-10-20 14:42
24楼huihui| 本网技师 (204) | 发消息 接机壳、公共接地点
回复2008-11-10 14:04
25楼huwangx| 本网技师 (219) | 发消息
为什么有些屏蔽用0。9T，而有些用屏蔽1.1T,有什么不同
回复2008-11-30 11:59
26楼kunshanlhy| 本网技师 (231) | 发消息
为什么有些屏蔽內銅箔用0.9T，而有些屏蔽內銅箔用1.1T，有什么不同？
是因為內銅箔不可以短路的原故，所以有些屏蔽用0.9T，而有些用屏蔽1.1T，其實，效果是一樣的。
回复2008-11-30 15:40
27楼cmg| 副总工程师 (3736) | 发消息
不是这样的，他么的屏蔽效果不一样。1.1匝、1.2匝可能基本没有区别，但0.9匝和1匝是有区别的。但我没有办法告诉你那个好，因为不同的设计效果会不一样。
回复2008-12-01 09:34
28楼huwangx| 本网技师 (219) | 发消息
CMG大师,假如是一个反激式的变压器采用三明治绕法，NP1/shied/NS/shied/NP2/Nvd,你说SHIED是0。9T好还是1。1T好？为什么？谢谢你能不能帮我们分析一下好吗？
回复2008-12-18 16:18
29楼cmg| 副总工程师 (3736) | 发消息
仪器测量是最好的。理论只是个指导方向。三明治屏蔽最
好全包。
回复2008-12-18 20:49
30楼1172liu| 本网技师 (226) | 发消息
我想1.1T屏蔽效果要比0.9T好，但是1.1T导致线圈不平整,略微增加漏感,所以不能说哪种屏蔽更好,要实际测.
回复2008-12-22 20:24
31楼接触7| 助理工程师 (324) | 发消息 倒数10 大家还有那些可以补充的吗？
欢迎大家继续讨论！
回复2008-12-23 09:09
32楼打火机| 助理工程师 (310) | 发消息 倒数9 继续关注中···
回复2009-01-11 18:00
33楼接触7| 助理工程师 (324) | 发消息 倒数8 自己顶上去！
回复2009-01-12 10:31
34楼whereismycat| 助理工程师 (311) | 发消息 倒数7 好贴，做个记号
回复2009-09-10 17:32
35楼招兵买马| 本网技工 (170) | 发消息 倒数6
看来水平还没达到这个成都 好难懂啊 还是留着 慢慢看吧
回复2009-09-11 09:06
36楼招兵买马| 本网技工 (170) | 发消息 倒数5 忘记说了 呵呵 感谢 感谢！~
回复2009-09-11 09:15
37楼jimmmy1125| 助理工程师 (339) | 发消息 倒数4 学习中。。。。。。。。。。。
回复2009-09-11 13:38
39楼PowerAnts| 副总工程师 (2394) | 发消息 倒数2
初次级间的屏蔽属于电场屏蔽，主要是降低绕组间电容
向二次侧传递的共模噪声。
而在变压器外面绕的那一个短路匝，是为了提供一个相位相反的磁场，削弱漏磁引起的EMI
回复2010-01-30 14:00
40楼whereismycat| 助理工程师 (311) | 发消息 | 最新回复 倒数1
请问假如屏蔽是同一个方向，从初级侧起绕和从次级侧起饶对EMI的效果是一样的吗？
最近搞个电源，突然想起一个一直被忽视的问题。一般稍微讲究点的变压器在初级和次级之间会有用铜皮卷一个屏蔽层（头尾不能相接短路），然后会把这个屏蔽线引出（通常成品变压器会采用黄绿线）。如下图的5号线
一般我都是把这个屏蔽线接到电源插座的地线（三相插头中间最长的那个），今天突然纠结起来，到底为什么这么接，有什么理论依据，是否合理？如果对于一个对干扰很敏感，如高精度毫伏表等这类仪器，这个屏蔽线到底是应该跟机器的GND连接更好呢，还是接市电插座的地线？
我想这个是大家平时都遇到，但是都没有仔细研究过的问题，又是关于抗干扰接地的问题，很难弄清楚，希望对这方面有研究的高手能给分析分析？
一般来说
变压器初次级存在耦合电容，当然容量比较小，但高频信号就可以耦合过去。
屏蔽层的作用就是把一个耦合电容变成两个串联，中间点接地，这样高频信号直接导入大地，不在初次级间传递
变压器初次级匝数一样为一比一，初级接家用~220V那么次级输出哪根是零火线？ 最佳答案
即所谓的隔离变压器，变压器的次级的两端都不接地，即对地是悬浮的，没有零线。由于其电压不太高，线路的范围又很小，线路对地的分布电容就很小，所以站在地上的人体接触任一根线都不会发生触电事故，常用于检修具有开关电源的电器，比如彩电、显示器等，它们由变压器的次级供电。
注意其容量要足够，一二次之间的绝缘要良好，最好要穿布鞋或塑料
变压器的分布电容用电容测试仪能够测出来吗？
我想是 变压器的分布电容用电容测试仪不能够测出来的。至少测出来的误差太大没有实际意义，因为变压器绕组电感太大，对电容测试仪引起误差（电容测试仪是对被测器件接通高频电流的方法测试电容的，所以电感对测试影响是绝对的厉害，不可忽视的）。
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图中A点、B点均悬空，求教： 1.A点，B点对地电压是多少？
2.人站在地上摸A或B点会不会挂掉？
A点B点对地电压，与变压器初次级之间分布电容有关，与测量仪表内阻大小有关。
挂不挂，这要看变压器初次级之间的分布电容有多大，以及人体的电阻多大。若是容量很大的变压器，有可能挂。
如果是高压高频变压器，人站在厚绝缘垫上去摸，人体还可以有拉弧发光的效果
\"人站在地上摸A或B点会不会挂掉\"不会挂掉； 但如果同时摸到A和B点，就很可能会挂掉
公司里有个250V的调压器 调到220V输出 输出端悬空，用电笔测试两端灯都会亮。xwj你敢去摸么？
楼上又是把不同的事情混淆到一起了。
调压器是自耦变压器，一个绕组，不是楼主图中的两个绕组。别说调到220V，就是调到零，我也不敢站在地上摸。
纯金属，你拿块万用表量量，调压器各端子之间都是通的，楼主的变压器可不是。
那好电蚊拍里面用到了升压隔离变压器，怎么也会电击人？
那是因为电蚊拍放电时的电压很高，有十几千伏，所以电到人会不舒服（但不会有生命危险，因为电流很小）
隔离变压器的好坏在于初次级对铁芯的绝缘电阻的大小，哪来什么分布电容？ 又不是高频……这样会误导年轻人哦
工频变压器由于结构相对较大，初次极间的电容量更大，1KVA以下的工频变压器，初次级间电容量达约为几十到几百pF，一般要将初级与次级相邻的一端电极接N（零线）
这便是为什么工频变压器需要有N，L电极之分，楼上说是搞变压器的，连这都不了解的话，就不算是合格的“做变压器的”了。
街头的630KVA级电力终端变压器，初级次间的电容量达到10nF，对地电流可达0.7mA，输出端口完全悬空，楼上敢不敢去摸一下？二级变电站的变压器，如果铁芯悬浮，再与大地接地，光是初级对铁芯的分布电容的漏电流，就可以点亮你家里的灯泡了
PowerAnts就是按照220V50Hz10nF计算的。要是380V，电流就有1.2mA了。何况这种终端变压器一次电压还不是220V或380V，高得多了，各位初学千万别上手摸，小命要紧。
阿阿，大家有变压器的可以测试一下，一个100W的工频变压器，初次级之间的分布电容到底有多少，我想最多只有几个PF吧，别忘了用100Hz测量。 你们再做个试验，用仿真测试一下，几个PF到几百PF串在220V电源中的直通电流到底有多少，也不考虑人体电阻和大地的绝缘电阻。
通常，当有小于0.1mA电流流过人体时，比较安全，当电流在0.1mA—1mA之间，人感觉
难受，当电流大于1mA时，会有生命危险。 大家有空可以试试哦。
不会挂掉,不信你试试看.
因为没有回路.
除非你的变压器有问题.
需要指出的是，传统变压器，不论高频的还是工频的，它的绕组间电容与功率并没有直接关系，而是由绕组间的相对接触面积，空间距离及绝缘介质的介电常数有关，这个是可以用平板电容公式计算出来的。
科普一些关于隔离器件的容性传导常量： 1, 光耦隔离器，输入输出电容0.5~1pF; 2, 中心距1.27mm的平行数据线 1pF/10cm;
3, 小功率开关变压器初次极电容 10~500pF (视窗口大小及绝缘胶带厚度)
4, 10.5KV-->220/380V电力终端变压器初次级间电容3000~10000pF, 110KV-->10.5KV二级电力变压器初次极间电容5000~15000pF.
关于铁芯落地电流，二级电力变压器的铁芯接地线电流达15~100mA, 这还是三相的矢量叠加结果，如果是单相的话，加上绝缘漏电流，那会达到达到近1A，不但可以点灯，够胆的话，还可以烧水做饭了
在这些数据面前，还能说工频变压器不需要考虑绕组间电容吗？
另外建议一下，简单的问题不要用仿真去看结果，平时总结一些经验算法，小计算要实现脱口而出。
比如，随便拿相磁环，俺目侧一下直径，数一下圈数，俺能够在5秒钟内报出额定电流大小。
AB等效于一个交流电源。但它通过一个小电容连接到火线上。
这个电容一般不大，所以你可以认为是它不存在，于是手去摸A或B是一点事都没有的。我摸过。 但是如果AB电压比较高(36V以上)并且你同时摸AB则会被电到
这种情况很多并不是空载可以，而是空载也在不停的启动，只不过脉冲式充电后级电容电放不掉，看到的情况好像是可以。（还有一种可能是辅助供电部分工作在极限状态），其实论坛很多类似的问题，都是一个原因，就是辅助绕组没有及时提供供电电源，碰到类似情况，用示波器测量一下VCC端的波形，80%以上的问题就可以发现。
如果是低温（－４０）电解电容发生了很大的变化，我这里有一个４５０Ｖ１２０ＵＦ电容的测试数据，在－４０度，电容的容量只有４０左右，ＥＳＲ从０．３增加到４，如果在有ＮＴＣ，那重载启机的瞬间，电压基本上都在ＮＴＣ上，电解电容根本拿不到电压
刚又学到一点，如果是内部带MOS管的集成IC，一般内部具有限流保护功能，如果冲击电流过大，也有可能出现空载可以而带载无法启动的问题。具体可以参考这个电路。
初级电流包括 反射回来的负载电流I_load和 励磁电流Imag，ΔB/2就是Imag，与I_load无大关系。
3842 占空比0～96% 启动电压16V 输出频率等于振荡频率
3843 占空比0～96% 启动电压8.6V 输出频率等于振荡频率
3844 占空比0～48% 启动电压16V 输出频率等于振荡频率的一半
3845 占空比0～48% 启动电压8.6V 输出频率等于振荡频率的一半
死（假）负载问题
输出没有或没加足死负载的现象：开不了机（打嗝），或输出电压变高 （欢迎大家指正并补充） 1.占空比的最大和最小都受限制（死负载跟最小占空比相关联）
很多芯片，占空比不能为无穷小，而是有一个最小值，再小就是零(彻底关断)。凡片内有锁存器的芯片都是如此，例如SG3525、UC3842等等。没有锁存的芯片在占空比减小时则是脉冲逐渐变窄直到成为尖峰(脉冲前后沿总有倾斜)，然后尖峰高度逐渐降低，例如TL494。要命的就是这点。负载极轻时(极端情况就是开路)芯片彻底关断后输出电压减小，减小到一定程度芯片又重新开启，但一两个脉冲已经足以使输出电压过高，然后芯片又彻底关断。这种情况类似保护电路的“打嗝”，但开启-关断的频率比“打嗝”高，可能落到音频范围内而被人听见。
（打嗝”现象可能会提前出现。“打嗝”时，开关管是间断工作的，电源可能会发出人耳可听见的尖叫声，输出的纹波也会变得很大，在设计时应该尽量避免。频率快一点，饭勺就可以用小点，“打嗝”就是喉咙太小了，勺一口饭要等好久才吞下。）
2.电感电流不连续，工作是不稳定的，有一定负载电流时可能仍输出正常的电压，但负载电流小到一定程度就会“稳不住”即输出电压变高。
为使电感体积不要太大，通常是用加“死负载”的方法，即在输出端并联一个电阻，使该电阻泄放掉一些电流。该电阻泄放的电流也不能太大，否则功耗大，效率低。通常泄放最大输出电流的百分之几。
（开关电源的输出是一连串脉冲，所以叫开关电源。但负载用的是直流，所以需要将这些脉冲滤波成直流。从能量角度看，滤波电路是在脉冲到来时储存能量，在脉冲消失时又向负载释放能量。那么开关频率高，每个周期需要滤波电路储存的能量就比较小，故而电感电容的体积都小。从需要滤除的频率看，开关频率高，需要滤除的频率不含低频率成分，电感电容可以用得比较小） 3.死负载的选取
空载时占空比非常小，且会引起间歇振荡，需加上死负载，其值在调试中决定，在系统稳定的前提下，其阻值越大越好。 4.如果假负载不加或者没有，满载开机的时候，很有可能就带不起载，因为占空比太低。
5.彩电维修接假负载
如果不接假负载让电源空载就会引起输出变高，反馈到调整电路，进一步使得开关管导通占空比变小，不能跟实际带载状态一致造成工作状态的改变。有的机器是带载能力下降，如果不带负载就会看不出问题了，有的机型不带负载电压就会高出很多引起烧坏元件。根据电路不同而不同，有的机型可以空载维修。 跳周期：
跳周期模式，当负载足够轻时，产生SLEEP信号，此时芯片进入低功耗状态，功率MOS管被关断，并且芯片内大部分电路如振荡器、误差放大器、PWM比较器以及各种保护电路等也不再工作，只依靠电容储存的能量维持负载端工作，当能量下降到一定值时，再启动变换器。这样轻负载时功率MOS管的损耗和芯片自身电路的损耗都降低了。
在国产的显示器中,电源PWM控制电路最常用的集成电路型号就是uc3842(或KA3842)． 下面简单介绍一下uc3842
好坏的判断方法:
在更换完外围损坏的元器件后,先不装开关管,加电测uc3842的7脚电压,若电压在10-17V间波动,其余各脚也分别有波动的电压,则说明电路已起振,uc3842基本正常;若7脚电压低,其余管脚无电压或不波动,则uc3842已损坏． 上电测试输出,若有输出电平则说明管子正常,测试6脚与5脚电阻,如果非常小说明管子损坏.
在uc3842的7、5脚间外加+17V左右的直流电压,若测8脚有+5V电压,1、2、4、6脚也有不同的电压,则uc3842基本正常,工作电流小,自身不易损坏．它损坏的最常见原因是电源开关管短路后,高电压从G极加到其6脚而致使其烧毁．而有些机型中省去了G极接地的保护二极管,则电源开关管损坏时,uc3842和G极外接的限流电阻必坏．此时直接更换即可． 需要注意的是,电源开关管源极(S极)通常接1个小阻值大功率的电阻作为过流保护检测电阻．此电阻的阻值一般在0.2-0.6之间,大于此值会出现带不起负载的现象(就是次极电压偏低)．
由于uc3842(KA3842)的工作电压和输出功率均与UC3843(KA3843)相差甚远, 3842系列和3843系列在启动电压和关闭电压方面也存在着较大的区别.前者的启动电压为16V,关闭电压为10V;后者的启动电压为8.5V,关闭电压为7.6V.这两个系列的IC不能直接代换.如确有必要用后者代换前者时,要对电路加以改造方可.因此,这一点在维修工作中必须要注意．
磁珠的选用
1. 磁珠的单位是欧姆，而不是亨特，这一点要特别注意。因为磁珠的单位是按照它在某一频率 产生的阻抗来标称的，阻抗的单位也是欧姆。磁珠的 DATASHEET上一般会提供频率和阻抗的特性曲线图，一般以100MHz为标准，比如1000R@100MHz，意思就是在100MHz频率的时候磁珠的阻抗相当于600欧姆。
2. 普通滤波器是由无损耗的电抗元件构成的，它在线路中的作用是将阻带频率反射回信号源，所以这类滤波器又叫反射滤波器。当反射滤波器与信号源阻抗不匹配时，就会有一部分能量被反射回信号源，造成干扰电平的增强。为解决这一弊病，可在滤波器的进线上使用铁氧体磁环或磁珠套，利用滋环或磁珠对高频信号的涡流损耗，把高频成分转化为热损耗。因此磁环和磁珠实际上对高频成分起吸收作用，所以有时也称之为吸收滤波器。
不同的铁氧体抑制元件，有不同的最佳抑制频率范围。通常磁导率越高，抑制的频率就越低。此外，铁氧体的体积越大，抑制效果越好。在体积一定时，长而细的形状比短而粗的抑制效果好，内径越小抑制效果也越好。但在有直流或交流偏流的情况下，还存在铁氧体饱和的问题，抑制元件横截面越大，越不易饱和，可承受的偏流越大。
EMI吸收磁环/磁珠抑制差模干扰时，通过它的电流值正比于其体积，两者失调造成饱和，降低了元件性能；抑制共模干扰时，将电源的两根线（正负）同时穿过一个磁环，有效信号为差模信号，EMI吸收磁环/磁珠对其没有任何影响，而对于共模信号则会表现出较大的电感量。磁环的使用中还有一个较好的方法是让穿过的磁环的导线反复绕几下，以增加电感量。可以根据它对电磁干扰的抑制原理，合理使用它的抑制作用。
铁氧体抑制元件应当安装在靠近干扰源的地方。对于输入／输出电路，应尽量靠近屏蔽壳的进、出口处。对铁氧体磁环和磁珠构成的吸收滤波器，除了应选用高磁导率的有耗材料外，还要注意它的应用场合。它们在线路中对高频成分所呈现的电阻大约是十至几百Ω，因此它在高阻抗电路中的作用并不明显，相反，在低阻抗电路（如功率分配、电源或射频电路）中使用将非常有效。 结论
由于铁氧体可以衰减较高频同时让较低频几乎无阻碍地通过，故在EMI控制中得到了广泛地应用。用于EMI吸收的磁环/磁珠可制成各种的形状，广泛应用于各种场合。如在PCB板上，可加在DC/DC模块、数据线、电源线等处。它吸收所在线路上高频干扰信号，但却不会在系统中产生新的零极点，不会破坏系统的稳定性。它与电源滤波器配合使用，可很好的补充滤波器高频端性能的不足，改善系统中滤波特性。
電感多用于电源滤波回路，磁珠多用于信号回路，用于EMC对策磁珠主要用于抑制电磁辐射干扰，而电感用于这方面则侧重于抑制传导性干扰。两者都可用于处理 EMC、EMI问题。磁珠是用来吸收超高频信号，象一些RF电路，PLL，振荡电路，含超高频存储器电路（DDR SDRAM，RAMBUS等）都需要在电源输入部分加磁珠，而电感是一种蓄能元件，用在LC振荡电路，中低频的滤波电路等，其应用频率范围很少超过错 50MHZ。地的连接一般用电感，电源的连接也用电感，而对信号线则采用磁珠？
但实际上磁珠应该也能达到吸收高频干扰的目的啊？而且电感在高频谐振以后都不能再起电感的作用了,先必需明白EMI的两个途径，即：辐射和传导，不同的途径采用不同的抑制方法。前者用磁珠，后者用电感。对于扳子的 IO部分，是不是基于EMC的目的可以用电感将IO部分和扳子的地进行隔离，比如将USB的地和扳子的地用10uH的电感隔离可以防止插拔的噪声干扰地平面？电感一般用于电路的匹配和信号质量的控制上。在模拟地和数字地结合的地方用磁珠。在模拟地和数字地结合的地方用磁珠。数字地和模拟地之间的磁珠用多大,磁珠的大小（确切的说应该是磁珠的特性曲线),取决于你需要磁珠吸收的干扰波的频率,为什么磁珠的单位和电阻是一样的呢？？都是欧姆！！磁珠就是阻高频嘛，对直流电阻低，对高频电阻高，不就好理解了吗， 比如1000R@100Mhz就是说对100M频率的信号有1000欧姆的电阻,因为磁珠的单位是按照它在某一频率产生的阻抗来标称的，阻抗的单位也是欧姆。磁珠的datasheet上一般会附有频率和阻抗的特性曲线图。一般以100MHz为标准，比如2012B601，就是指在100MHz的时候磁珠的Impedance为600欧姆。
磁珠由氧磁体组成，电感由磁心和线圈组成，磁珠把交流信号转化为热能，电感把交流存储起来，缓慢的释放出去。 磁珠对高频信号才有较大阻碍作用，一般规格有100欧/100mMHZ ,它在低频时电阻比电感小得多。电感的等效电阻可有Z=2X3.14xf 来求得。
铁氧体磁珠 (Ferrite Bead) 是目前应用发展很快的一种抗干扰元件，廉价、 易用，滤除高频噪声效果显著。
在电路中只要导线穿过它即可（我用的都是象普通电阻模样的，导线已穿过并 胶合，也有表面贴装的形式，但很少见到卖的）。当导线中电流穿过时，铁氧 体对低频电流几乎没有什么阻抗，而对较高频率的电流会产生较大衰减作用。 高频电流在其中以热量形式散发，其等效电路为一个电感和一个电阻串联，两 个元件的值都与磁珠的长度成比例。
电容器的选择（开关电源）
一、输入输出滤波电容器的选择
1、输入滤波电容器的选择
以引脚的形式分，有径向引线，轴向引线，一般选择径向引线的电容，并在安装时应尽量减小引线长度。
（电解电容剂型不得接反；耐压值选择为实际工作值的1.2~1.5倍）
2、输入滤波电容器容量的选择
当交流电压u=85~265V时，经验选择k=（2~3）uF/W
当交流电压u=230V(+-15%)时，k=1uF/W
（k为每单位输出功率（W）所需输入滤波电容器容量（uF）的比例系数）
3、输出滤波电容器的选择
a、输出滤波电容器的耐压值一般留出1.2~1.5倍的余量（为了更安全可靠可以选择2倍）。
b、输出滤波电容器的容量可按照1000uF/A来选择。（ 也有说用470u~500U或是更小的。。。）
c、为减小输出噪声，可以在电解电容器上再并一只0.01~0.1uF的小电容。
d、可以将几只相同容量的电解电容器并联使用，以降低等效串联电阻。
（电解电容的使用寿命与纹波电流，环境温度有关，纹波电流越大，环境温度越高，使用寿命就越短）设计时要注意。
二、EMI滤波电容的选择
能滤除电网线之间的串模干扰的电容器，称作“X电容”（一般选择X2，常用容量范围是1nF~1uF，并联在电网之间）
能滤除由一次绕组、二次绕组耦合电容产生的共模干扰电容器，称作“Y电容”，一端接一次侧直流高压，另一端接二次侧公共端（用于滤除10~200MHz频段的高频干扰，因此需要用短引线连接，常用容量范围是1~2.2nF耐压值一般不低于1.5kV）
三、旁路电容和去耦电容
去耦电容在集成电路的电源和地之间有两个作用：
1、作为集成电路的蓄能电容。
2、旁路掉该器件的高频噪声。
（数字电路中典型的去耦电容值是0.1uF，最好不用电解电容，去耦电容的选用经验算法：C=1/F,即10MHz取0.1uF，100MHz取0.01uF）
在电子电路中，旁路电容和去耦电容都是起到抗干扰的作用，因为电容处的位置不一样，称呼也就不一样了。（笔者这么认为）
对于同一个电路来说，旁路电容就是把输入信号的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除；而去耦电容也称退偶电容，就是把输出信号的干扰作为滤除对象。
总之一句话，旁路，退偶，都是作用于高频干扰。所以电容值要取小。具体要根据实验结果来定。（实践是检验准确值的唯一标准——笔者）
对MCM功率电源而言，由于其工作在几百kHz的高频开关状态，故易成为干扰源。从国外同类公司的报告及实际措施来看，解决DC/DC变换器电磁干扰主要就是满足10kHz～10MHz电源线传导发射（即国军标GJB151A-97中CE102）的要求。
解决的关键技术
1电路的设计技术
通过EDA仿真，利用可靠性优化和可靠性简化技术设计电路参数，着重解决如下问题。
① 线路的自激振荡：合理地选择消振网络，消除DC/DC变换器的R、L、C参数选取的不合理性引起的振荡，减小EMI的电平。DC/DC电源由于工作在高频开关状态，很容易形成高频自激，有时反应为带满载时正常带轻载时自激，有时反映为常温时正常高温或低温时自激，因此元器件的选取、补偿网络的应用显得尤为重要。
② 纹波与噪声的有效抑制：抑制的方法大致可以归结为二类，即降低本身的纹波与噪声和设计滤波电路。
为了抑制外来的高频干扰，也为了抑制DC/DC变换器对外传导干扰，通过在DC/DC变换器的输入端、输出端设计滤波电路，抑制共模、差模干扰，降低EMI电平。其中，C1、C2、C3为差模滤波电容，C4、C5为共模滤波电容，L1为共模扼流圈，L2为差模滤波电感。
为了减少DC/DC变换器通过输入、输出端传导EMI，除了在输入、输出端采取LC滤波外，还在电源的输入地到金属外壳之间、输出地到金属外壳之间增加高频滤波电容，以减少共模干扰的产生。但此处要注意电容耐压要大于500V，以满足产品隔离电压的要求。
图1 滤波器的原理图
图中，L1、C1组成的输入滤波电路和L2、C2组成的输出滤波电路能减少纹波电流的大小，从而减少通过辐射传播的电磁干扰。滤波电容C1、C2采用多个电容并联，以减少等效串联电阻，从而减小纹波电压。C3、C4、C5、C6用于滤除共模干扰，其值不宜取大，以避免有较大的漏电流。
2 抑制干扰源技术
DC/DC变换器的主要干扰源有高频变压器、功率开关管及整流二极管，为此逐一地采取措施。 ① 高频变压器
在开关电源中，变压器在电路中起到电压变换、隔离及能量转化作用，其工作在高频状态，初、次级将产生噪声并形成电磁干扰EMI。当开关管关断时，高频变压器漏感会产生反电动势E=-Ldi/dt，其值与集电极的电流变化率（di/dt）成正比，与漏感量成正比，叠加在关断电压上，形成关断电压尖峰，从而形成传导性电磁干扰。变压器在开关电源中是用来隔离和变压的，但在高频的情况下它的隔离是不完全的，变压器层间的分布电容使开关电源中的高频噪声很容易在初次级之间传递。此外，变压器对外壳的分布电容形成另一条高频通道，从而使变压器周围产生的电磁波更容易在其他引线上耦合形成噪声。 因此，在设计中采取了以下措施。
为减小变压器漏感的影响，采用初、次级交叉绕制的方法，并使其紧密耦合。
尽可能采用罐型磁芯。由于罐型磁芯可以把所有的线圈绕组封在磁芯里面，因此具有良好的自我屏蔽作用，可以有效地减少EMI。
图2 输入输出滤波电路
为吸收上升沿和下降沿产生的过冲，并有可能造成的自激振荡，在初、次级电路中增加R、C吸收网络，以减少尖峰干扰。在调试时须仔细调整R、C的参数，确保电阻R1的值在30～200Ω，电容C1的值在100～1000P之间，以免影响变压器的效率。
② 功率开关管
由于功率管工作于高频通断开关状态，将产生电磁干扰EMI。当开关管流过大的脉冲电流时，大体上形成了矩形波，含
有许多高频成分。由于开关电源使用的元件参数（如开关管的存储时间、输出级的大电流、开关整流管的反向恢复时间）均会造成回路瞬间短路，产生很大短路电流。凡有短路电流的导线及这种脉冲电流流经的变压器和电感产生的电磁场都可形成噪声源。开关管的负载是高频变压器，在开关管导通的瞬间，变压器初级出现很大的涌流，造成尖峰噪声。这个尖峰噪声实际上是尖脉冲，轻者造成干扰，重者有可能击穿开关管。因此，须采取以下措施。
优化功率管的驱动电路设计。通过缓冲电路，可以延缓功率开关管的通断过程。 采用R、C吸收电路，从而在维持电路性能不变的同时，降低其电磁干扰的EMI电平。
③ 整流二极管
整流二极管在关断期，由于反向恢复时间会引起尖峰干扰。为减少这种电磁干扰，必须选用具有软恢复特性的、反向恢复电流小的、反向恢复时间短的二极管。肖特基势垒二极管是多数载流子导流，不存在少子的存储与复合效应，因而也就会产生很小的电压尖峰干扰，故采取以下措施。 ● 采用R1、C1组成旁路吸收网络。
● 采用多个肖特基并联分担负载电流，有效地抑制整流二极管形成的EMI电平。
图3 初级吸收网络
3 产品平面转化时EMC设计技术
影响产品EMC的方面很多。除了在线路上进行优化设计外，如何在基片有限的空间内合理的安排元器件的位置以及导带的布线，也将直接影响到电路中各元器件自身的抗干扰性和产品的电磁兼容性EMC指标。
① 平面转换设计规范
对于电源内部高频开关器件，如功率VMOS管、高频变压器、整流管等，应尽可能地减少其电路电流的环路面积，且不要与其他导带长距离平行分布。
电源的输入正端和地线应尽可能地靠近，以减小差模辐射的环路面积。
设计布线时走线尽量少拐弯，拐弯处一般取圆弧形，因为直角或夹角会产生电流突变，产生EMI干扰。导带上的线宽不要突变，无尖刺毛边。
导带印制时应尽量采用高目数的印制网，以便使线电流达到均衡。应选用电流噪声系数较小、性能稳定性较好的电阻浆料和导带浆料，保证不会因为工艺参数的因数带来新的干扰。
尽可能地加粗地线，若地线过细，接地电位则随电流的变化而变化，致使电路的信号电平不稳，抗噪声性能变坏。
图4 次级整流电路
② 采用金属全密封结构进行封装
屏蔽有两个目的，一是限制内部辐射的电磁能量泄漏出，二是防止外来辐射干扰进入该内部区域。其原理是利用屏蔽体对电磁能量进行反射、吸收和引导。为了抑制开关电源产生的辐射，电磁骚扰对其他电子设备的影响，可完全按照对磁场屏蔽的方法来加工金属外壳，然后将金属外壳与系统的机壳和地连接为一体，就能对电磁场进行有效的屏蔽。
4 地线设计技术
为降低接地阻抗，消除分布电容的影响而采取平面式或多点接地，利用一个导电平面作为参考地，需要接地的各部分就近接到该参考地上。为进一步减小接地回路的压降，可用旁路电容减少返回电流的幅值。在低频和高频共存的电路系统中，还应分别将低频电路、高频电路、功率电路的地线单独连接后，再连接到公共参考点上，如果有可能最好设计地线层。
UF40004两端加RC snubber，你的线路上面没有加，
取值的话，据CMG大师介绍，具体还忘了，大概是这样子：先不加RC，看Vr的尖峰振荡频率；然后加C。。。，最后加R。。具体加多大的RC值得判断标准忘了
9楼lyzk2002| 本网技工 (137) | 发消息
线路上是没加，做实验时发现有噪声，就加了试了一下，但没效果，也可能是取的RC值不对有关，大侠能把CMG的帖子地址告诉我吗，我看一下。另外变压器加屏蔽能不能好一些？
回复| 赠予2010-09-14 13:32
13楼xkw1cn| 专家 (8092) | 发消息
注意！
两个二次地间也要加电容！
一/二次间电容要加在MOSFET的电流取样电阻的地线管脚到二次变压器引脚地上！线要直而短啊！
回复| 赠予2010-09-14 15:02
16楼lyzk2002| 本网技工 (137) | 发消息
我是这样加的，初级地和5V地，初级地和24V地，加了2个，那还用5V地和24V地再加吗？谢谢！
回复| 赠予2010-09-14 15:11
18楼xkw1cn| 专家 (8092) | 发消息
不用再加了。你这两个电容多大？加了电容后的噪音是啥样的？将波形拉开看看。
回复| 赠予2010-09-14 15:20
21楼lyzk2002| 本网技工 (137) | 发消息
3300P/2000V，噪声是这样解决的减小MOS驱动电阻，输出整流管加RC，现在噪声为30多MV
回复| 赠予2010-09-14 15:27
23楼xkw1cn| 专家 (8092) | 发消息
这个值已经比较合理了。再要降噪；需要加大驱动栅电阻阻值（减小MOS驱动电阻会带来更大噪音啊！）
取150欧左右时；对效率影响不大，建议试试。
直流耦合示波器探頭直接和示波器中的放大器相連，可以用來觀察直流+交流信號。
交流耦合示波器探頭和示波器中間加了一個電容相隔離，隻能觀察交流紋波電壓。
其實區別也就是有沒有耦合電容的問題。
菜鳥學飛，如果說的不對請高手糾正！
术语与符号
Cies-输入电容 Coes-输出电容 Cres-反向传输电容
di/dt -通态电流临界上升率 dv/dt-断态电压临界上升率 Eoff-关断能量损耗 Eon-开通能量损耗
IC-集电极直流（连续）电流
ICES-集电极-发射极截止电流 ICM-集电极峰值电流 IDRM-断态重复峰值电流 IF（AV）-正向平均电流 IF（RMS）-正向方均根电流 IFM-二极管正向峰值电流 IFSM-正向浪涌电流 IGES-栅极-发射极漏电流 IGT－门极触发电流 IH-维持电流 IL-擎住电流
IRRM-反向重复峰值电流 Irr-二极管反向恢复峰值电流 IT（AV）-通态平均电流 ITM-通态峰值电流
ITSM-通态浪涌电流 M -紧固力矩 PD-最大损耗功率 PGAV-门极平均功率 Qg-栅极总电荷 Qge-栅极-发射极电荷 Qgc-栅极-集电极电荷 Qrr-二极管反向恢复电荷
Rthcs－壳（铜底板）散热器热阻（接触热阻） Rthjc－结壳（铜底板）热阻 RTO－通态斜率电阻
TC-壳温（模块为铜底板温度) tdoff-关断贮存时间 tdon-开通延迟时间 t f-下降时间
Tj-工作结温
trr-二极管反向恢复时间 TSTG-贮存温度
VCE（on ）-集电极－发射极通态电压 VCES－集电极－发射极电压 VDRM－断态重复峰值电压 VFM－正向峰值电压 VGE－栅极－发射极电压 VGE(th)-栅极阈值电压 VGT－门极触发电压
VISO－模块任一接线端子对铜 底板的绝缘耐压 VRRM－反向重复峰值电压 VTM－通态峰值电压 VTO－门槛电压
命名方法
IGBT模块
模块种类 电流值 内部连线方式 封装形式 电压值 类型
GA 100 T S 120 K 电流值: 指集电极额定直流(连续)电流
内部连线方式: T:桥臂连接; L:低端连接; H: 高端连接; D: 单管结构 HC：H桥连接 HL：高低端组合
封装形式: A: A-A-pak S: Int-A-pak D: Dual-Int-A-pak F: F-A-Pak 电压量: 集电极发射极额定电压值为:电压值×10(V)
类型: U型:超快速型 K型:具有短路能力的超快速(NPT)
晶闸管模块、快恢复和软恢复二极管模块、整流二极管模块
模块种类 器件类别 内部连线方式 电流值 封装形式 电压值 特性类别 60 M Z K 模块种类： M：代表半导体模块
400 TS XXX S
器件类别：D：普通整流管； Z：快恢复二极管； T：普通晶闸管； K：快速晶闸管； F：晶闸管/整流管混合管
内部连线方式：C：桥臂型串接；K：阴极对接型（共阴） ；A：阳极对接型（共阳） X：反并联型 S：三相整流桥； 电流值：模块内单个元件的额定平均电流IT（AV）
封装形式：TA: A-A-pak；TS:Int-A-pak； TD: Dual-Int-A-pak；TM: Magn-Int-pak TF结构；
TH 结构；TK结构；TG：TG1、TG2、TG3结构； DG、MDS结构 断态和反向重复峰值电压为：电压值×10(V) 特性类别: U型:快恢复型 S型:软恢复型
2010-12-20
输入电流的计算：一般根据输出功率和大概估算的效率，计算出输入功率，根据最低输入电压计算出输入电流，再处于大概的功率因数，如一般整流在0.5-0.6左右，就是输入的最大额定电流，选取保险丝时一定要大于此值，一般取1.5-3倍。
I=PO/效率/Vin(min)/0.6
用电阻做保险会更好些，金属膜电阻即可。它和保险一样遵守I^2t的关系
1. 三端电容是一种特殊结构的电容器，它与普通电容器的区别在于，它有三根
引线，其中一个电极上有两根引线。这样一个微小的改变，却使电容器的滤波效果发生了很大的改善。普通电容的引线电感对于电容的高频滤波的作用是有害的，而三端电容却巧妙地利用了引线电感，构成了一个Ｔ型低通滤波器。三端电容的高频滤波效果比普通电容改善了很多。如果在三端电容的两根连在一起的引线上分别安装一个铁氧体磁珠，则会大大增加Ｔ型滤波器的滤波效果。
接地引线不能过长，过长的引线的电感也是十分有害的，会使滤波性能大打折扣。
穿心电容也是一种三端电容，但与普通的三端电容相比，由于它直接安装在金属面板上，因此它的接地电感更小，几乎没有引线电感的影响，另外，它的输入输出端被金属板隔离，消除了高频耦合，这两个特点决定了穿心电容具有接近理想电容的滤波效果
对于共模电感，总的来说下：
对理想的电感模型而言，当线圈绕完后，所有磁通都集中在线圈的中心。没有漏感，对差模没有抑制作用。
但实际中，环形线圈不会绕满一周或不紧密，这样会引起磁通的泄露。
共模电感有两个绕组，之间有比较大的间隙，产生磁通泄漏，形成了差模电感。 所以共模电感一般也具有一定的差模干扰衰减能力。
这个漏感对差模电流有抑制作用，所以有时候要人为增加这个漏感来增加差模电感量，达到更好的滤波效果。
闻道有先后，术业有专工。仅仅如此，但凡”知道的“都是学习的结果。从娘胎出来时大家的哭声都一样~有的时候就是自己知道的，但并不是最好的理解，所以需要大家彼此交流。
三、电容漏电流
电容介质不可能绝对不导电，当电容加上直流电压时，电容器会有漏电流产生。若漏电流太大，电容器就会发热损坏。除电解电容外，其他电容器的漏电流是极小的，故用绝缘电阻参数来表示其绝缘性能；而电解电容因漏电较大，故用漏电流表示其绝缘性能（与容量成正比）。
对电容器施加额定直流工作电压将观察到充电电流的变化开始很大，随着时间而下降，到某一终值时达到较稳定状态这一终值电流称为漏电流。
其计算公式为：i=kcu(μa)；其中k值为漏电流常数，单位为μa(v·μf)。
这是电解电容漏电流规格要求，C为电容的标称容量，V为电容的标称电压值。一般情况下，额定电压小于100V，漏电流计算公式为：0.01CV或3微安；额定电压大于160V，漏电流计算公式为：0.03CV（有些厂家比较好的可能会自己规定小于这个值：例如绵阳资江电子就规定0.02CV）。注意单位换算，C单位为微法时，漏电流单位就为微安，其他单位以此类推。
大电容并联小电容的意义
大电容由于容量大，所以体积一般也比较大，且通常使用多层卷绕的方式制
作，这就导致了大电容的分布电感ESL比较大。
电感对高频信号的阻抗是很大的，所以，大电容的高频性能不好。而一些小容量电容则刚刚相反，由于容量小，因此体积可以做得很小（缩短了引线，就减小了ESL，因为一段导线也可以看成是一个电感的），而且常使用平板电容的结构，这样小容量电容就有很小ESL这样它就具有了很好的高频性能，但由于容量小的缘故，对低频信号的阻抗大。
所以，如果我们为了让低频、高频信号都可以很好的通过，就采用一个大电容再并上一个小电容的方式。
常使用的小电容为 0.1uF的CBB电容较好(瓷片电容也行)，当频率更高时，还可并联更小的电容，例如几pF，几百pF的。而在数字电路中，一般要给每个芯片的电源引脚上并联一个0.1uF的电容到地（这个电容叫做退耦电容，当然也可以理解为电源滤波电容,越靠近芯片越好），因为在这些地方的信号主要是高频信号，使用较小的电容滤波就可以了。
理想的电容，其阻抗随频率升高而变小（R＝1/jwc）, 但理想的电容是不存在的，由于电容引脚的分布电感效应， 在高频段电容不再是一个单纯的电容，更应该把它看成一个电容和电感的串联高频等效电路，当频率高于其谐振频率时， 阻抗表现出随频率升高而升高的特性，就是电感特性，这时电容就好比一个电感了。相反电感也有同样的特性。
大电容并联小电容在电源滤波中非常广泛的用到，根本原因就在于电容的自谐振特性。大小电容搭配可以很好的抑制低频到高频的电源干扰信号，小电容滤高频（自谐振频率高），大电容滤低频（自谐振频率低），两者互为补充。
关于电容的特性前面已说明了，在大电容的谐振频率和小电容的谐振频率之间，大电容呈现电感特性，小电容呈现电容特性。
此时就成了LC并联，会在某个频率上发生并联谐振，导致其阻抗为无限大，如果在这个频率上有较强的干扰，就会出现干扰问题。
所以大容量电容和小容量电容并联起来的方法，会在某个频率上出现旁路效果很差的现象。
滤波技术 VS 频率抖动技术
频率抖动技术是一种降低电路传导干扰和辐射干扰的技术。 那么，它与我们电源中常用的低通滤波技术有哪些区别呢?
频率抖动技术较之于其它方法具有更突出的优点。由于形成开关电源电磁干扰的三个条件是干扰源、耦合途径和受扰设备。因此常用的抑制电磁干扰方法有以下几种:
(1) 采用滤波元件,如共模电感、X1 和Y1 电容,X1 电容用于输入线间滤波, Y1 电容在电路发生故障时只会断路而不会短路,因此常用于初次级电路;
(2) 在变压器内部加屏蔽绕组, 外包屏蔽铜带,并将磁芯接地;
(3) 在高频开关(MOSFET和次级整流二极管)上加Snubber 电路,以减小dv/ dt 和di/ dt (4) 通过完善PCB 设计来减小高频电流回路的面积,对高频元件采用Kelvin 接法等。
这些方法可以有效地抑制电磁干扰,但每种方法都有其局限性, 采用共模电感、X1 和Y1 电容的方法将受到体积、成本的制约; 变压器抗干扰技术要增加变压器的绕制难度, 绝缘也要十分小心; 高频开关上加Snubber 电路会降低电源的效率, 并增加高频开关的损耗; 而PCB 设计需要丰富的经验, 并要考虑到方便产品制造(如机插元件要求水平布置等) 。相比之下,频率抖动技术采用功率半导体集成芯片的内部电路来改善EMI , 高效且可靠, 使用中不依靠电源设计人员的经验, 无需增加体积并能节省外围元件的成本, 也不会对电源的效率带来任何负面影响, 更不会给电源产品的制造增加任何不便。
二极管一般具有负温度系数，不易并联。 MOSfet具有正温度系数，容易并联。
两个100K的电阻标称值是一样的，但是电阻值都是有误差的一般在5-10%以内，你可以测量一下电阻值，另外电容器的漏电也是不一样的，可以测量出来。当组成分压电路时电阻值大的两端电压高，对于电容来说漏电小的两端电压高，经过这样分析和测量你就找到原因了。
电容串联，就是电荷量相等。 Q=CU=C1U1=C2U2 U1+U2=U
每个电容分得的“电压”，与电容“成反比”。 （U1/U2=C2/C1）
总电容：1/C=1/C1+1/C2
三相交流经过整流桥整流后，功率因数（阻性负载）理论上是0.956，但是如果加了输入滤波电容后，功率因数就会变低，
个人理解：滤波后的电压、电流波形不再是正弦波，而且相位也会有差别，造成功率因数的降低
哪位高手能说的更清楚点，最好能用计算分析，谢谢了
整流后滤波电感的计算：
一般按0.6Vmax/Imin（单位mH）配置。正常工作时的功率因数大体为0.9~0.95。
以三相AC380V为例：
整流输出电压为Vmax=1.35X380X1.15(电压上上波动15%）=590V
此时；额定负载电流为
I=500/590/0.8(设定效率80%)=1.06A Imin=I10%=0.106A L=0.618X590/0.106=3.4H
无功功率
在交流电路中，由电源供给负载的电功率有两种；一种是有功功率，一种是无功功率。
有功功率是保持用电设备正常运行所需的电功率，也就是将电能转换为其他形式能量(机械能、光能、热能)的电功率。比如：5.5千瓦的电动机就是把5.5千瓦的电能转换为机械能，带动水泵抽水或脱粒机脱粒；各种照明设备将电能转换为光能，供人们生活和工作照明。有功功率的符号用P表示，单位有瓦(W)、千瓦(kW)、兆瓦(MW)。
无功功率比较抽象，它是用于电路内电场与磁场的交换，并用来在电气设备中建立和维持磁场的电功率。它不对外作功，而是转变为其他形式的能量。凡是有电磁线圈的电气设备，要建立磁场，就要消耗无功功率。比如40瓦的日光灯，除需40多瓦有功功率(镇流器也需消耗一部分有功功率)来发光外，还需80乏左右的无功功率供镇流器的线圈建立交变磁场用。由于它不对外做功，才被称之为“无功”。无功功率的符号用Q表示，单位为乏(Var)或千乏(kVar)。
无功功率决不是无用功率，它的用处很大。电动机需要建立和维持旋转磁场，使转子转动，从而带动机械运动，电动机的转子磁场就是靠从电源取得无功功率建立的。变压器也同样需要无功功率，才能使变压器的一次线圈产生磁场，在二次线圈感应出电压。因此，没有无功功率，电动机就不会转动，变压器也不能变压，交流接触器不会吸合。为了形象地说明这个问题，现举一个例子：农村修水
利需要开挖土方运土，运土时用竹筐装满土，挑走的土好比是有功功率，挑空竹筐就好比是无功功率，竹筐并不是没用，没有竹筐泥土怎么运到堤上呢?
在正常情况下，用电设备不但要从电源取得有功功率，同时还需要从电源取得无功功率。如果电网中的无功功率供不应求，用电设备就没有足够的无功功率来建立正常的电磁场，那么，这些用电设备就不能维持在额定情况下工作，用电设备的端电压就要下降，从而影响用电设备的正常运行。
无功功率对供、用电产生一定的不良影响，主要表现在：
(1)降低发电机有功功率的输出。 (2)降低输、变电设备的供电能力。
(3)造成线路电压损失增大和电能损耗的增加。
(4)造成低功率因数运行和电压下降，使电气设备容量得不到充分发挥。
从发电机和高压输电线供给的无功功率，远远满足不了负荷的需要，所以在电网中要设置一些无功补偿装置来补充无功功率，以保证用户对无功功率的需要，这样用电设备才能在额定电压下工作。这就是电网需要装设无功补偿装置的道理。
PSPICE
我用ORCAD仿真时有时仿真不下去，弹出的提示框里修改电压及电流精度就可以了。 凭经验，在电感与电容上并上一只比较大的电阻（电阻大到几乎不影响电路性能）这样比较空易通过仿真。
（一）晶体管的结构特性
1．晶体管的结构 晶体管内部由两PN结构成，其三个电极分别为集电极（用字母C或c表示），基极（用字母B或b表示）和发射极（用字母E或e表示）。晶体管的两个PN结分别称为集电结（C、B极之间）和发射结（B、E极之间），发射结与集电结之间为基区。
根据结构不同，晶体管可分为PNP型和NPN型两类。在电路图形符号上可以看出两种类型晶体管的发射极箭头（代表集电极电流的方向）不同。PNP型晶体管的发射极箭头朝内，NPN型晶体管的发射极箭头朝外。
2．三极管各个电极的作用及电流分配 晶体管三个电极的电极的作用如下： 发射极（E极）用来发射电子；
基极（B极）用来控制E极发射电子的数量； 集电极（C极）用业收集电子。
晶体管的发射极电流IE与基极电流IB、集电极电流IC之间的关系如下：IE=IB+IC
3．晶体管的工作条件 晶体管属于电流控制型半导体器件，其放大特性主要是指电流放大能力。所谓放大，是指当晶体管的基极电流发生变化时，其集电极电流将发生更大的变化或在晶体管具备了工作条件后，若从基极加入一个较小的信号，则其集电极将会输出一个较大的信号。
晶体管的基本工作条件是发射结（B、E极之间）要加上较低的正向电压（即正向偏置电压），集电结（B、C极之间）要加上较高的反向电压（即反向偏置电压）。
晶体管发射结的正向偏置电压约等于PN结电压，即硅管为0.6~0.7V，锗管为0.2~0.3V。集电结的反向偏置电压视具体型号而定。
4．晶体管的工作状态 晶体管有截止、导通和饱和三种状态。
在晶体管不具备工作条件时，它处截止状态，内阻很大，各极电流几乎为0。
当晶体管的发射结加下合适的正向偏置电压、集电结加上反向偏置电压时，晶体管导通，其内阻变小，各电极均有工作电流产生（IE=IB+IC）。适当增大其发射结的正向偏置电压、使基极电流IB增大时，集电极电流IC和发射极电流IE也会随之增大。
当晶体管发射结的正向偏置电压增大至一定值（硅管等于或略高于0.7V，锗管等于或略高于0.3V0时，晶体管将从导通放大状态进入饱和状态，此时集电极电流IC将处于较大的恒定状态，且已不受基极电流IB控制。晶体管的导通内阻很小（相当于开关被接通），集电极
与发射极之间的电压低于发射结电压，集电结也由反偏状态变为正偏状态。
Sinking and sourcing current
Chip outputs are often said to 'sink' or 'source' current. The terms refer to the direction of the current at the chip's output. If the chip is sinking current it is flowing into the output. This means that a device connected between the positive supply (+Vs) and the chip output will be switched on when the output is low (0V).
If the chip is sourcing current it is flowing out of the output. This means that a device connected between the chip output and the negative supply (0V) will be switched on when the output is high (+Vs).
对于输入电流的器件而言： 灌入电流和吸收电流都是输入的， 灌入电流是被动的， 吸收电流是主动的。
如果外部电流通过芯片引脚向芯片内„流入‟称为灌电流； 反之如果内部电流通过芯片引脚从芯片内„流出‟称为拉电流。
下面这个图有助于对sinking current 和 sourcing current 的理解。
IGBT的CE端并接C作吸收,C容量增加,会造成C发热厉害,是过流损坏.业内选择的IGBT单臂吸收电容器,容量一般为0.015,0.022,0.033。 问题： 水泥电阻？
1、耐震、耐湿、耐热及良好散热，低价格等特性。 2、完全绝缘，适用于印刷电路板。
3、瓷棒上绕线然后接头电焊，制出精确电阻值及延长寿命。 4、高电阻值采用金属氧化皮膜体(MO)代替绕线方式制成。 5、耐热性优，电阻温度系数小，呈直线变化。 6、耐短时间超负载，低杂音，阻值经年无变化。
7. 防爆性能好，起保护作用。
陈老师你好,制作了一款3000W正激式全封闭式开关电源,使用电源220伏,开关频率80K,输入滤波电解电容用了2只1000UF450V的,电解电容发热历害,不知何原因,是容量用的太小还是ESR太大?还是电容质量太差,换了几款都差不多,你能帮忙分析一下吗?
回复63帖 64帖 陈永真团长 11132008-04-23 17:17 这里面有两种纹波电流,其一是来自于输入整流滤波,大约为25mA/W,这样就会算出整流滤波的纹波电流有多大,3000W大概有75A!其二,来自于正激式开关电源的开关频率下的纹波电流大概为60A!二者的有效值电流为96A!而一般的1000uF/4560V电解电容器的额定电流仅不会超过10A,两只并联也仅仅20A黎96A相差很远,肯定要热.
解决的办法:按每个微法3uF选择铝电解电容器的电容量,其二,在铝电解电容器两端并接IGBT直流母线突波缓冲电容器分流来自于正激式开关电源的开关频率的纹波电流,这样就能基本解决问题.
需要注意的是,铝电解电容器不像想象那样具有很强的电流承受能力,1000uF/450V的额定电流最大也就是10A如果是全封闭电源,散热性能不好,在高纹波电流时铝电解电容器会更热.
在这种情况下能不用电解电容器就不要电解电容器.如果薄膜电容器的电容量能满足纹波电压的要求将是一个很好的选择,可以选用深圳意赛亚经销的EACO品牌相应型号的薄膜电容器.主要原因是薄膜电容器可以承受远高于铝电解电容器的纹波电流.
在开关电源市场中,400W以下的电源大约占了市场的70-80%,而其中反激式电源又占大部分,几乎常见的消费类产品全是反激式电源,因为便宜,使用于宽电压范围输入,多组输出。
大家都知道变压器有两种绕法:顺序绕法和夹层绕法.这两种绕法对EMI和漏感有不同的影响.
顺序绕法一般漏感为电感量的5%左右,但由于初,次级只有一个接触面,耦合电容较小,所以EMI比较好.
夹层绕法一般漏感为电感量的1-3%左右,但由于初,次级只有两个接触面,耦合电容较大,所以EMI比较难过.一般30-40W以下,功率不大,漏感能量还可以接受,所以用顺序绕法比较多,40W以上,漏感的能量较大,一般只能用夹层绕法.
影响漏感的因素：
绕组顺序:夹层绕法一般是先初级,后次级的1/2-1/3.
变压器形状:长宽比越大的变压器漏感越小. 我公司很多人都是先初級1/2-次級-初級1/2,大家叫這為三明治繞法。
并不是说不能用三名治饶,功率稍微大一点也只能用这个方法.否则漏感太大. 只是干扰大小的问题,当然在小功率的时候有更多的考虑,比如取消共摸电感,来降低成本.
我做过如下实验:
顺绕法做出来的变压器漏感比夹层饶的几乎会大一倍.同样的电路参数其性能有截然的不同
漏感小后,MOS关断时D-S端的震荡波形的幅度会减小,而这是最重要的干扰源,小了干扰能量会降低.
反击变压器的一般程序是这样,由功率和经验效率确定变压器的型号,也可以由“AP”等书上介绍的方法确定变压器,我一般是根据经验确定,要求比较严格时用允许温升确定变压器型号.确定变压器后其他参数可算出.包括开关管的电流,这样就可以选管子.
变压器的气隙有相关的公式计算,但注意气息一般不要大于1毫米,否则可能引起边缘磁通效应使初级有过热点.
磁能储存在变压器的气隙中
反激变换器的变压器同时承担电感器储能的作用,所以要开气隙,气隙决定了电感量.参见14届电源学会P35的文章后,我认为反激变换器的气隙大小,即电感量大小,决定了其传输功率量.
在小功率电源变压器中,一般有两种两种屏蔽层,铜薄和绕组.铜薄的原理是切断了初次级间杂散电容的路径,让其都对地形成电容,其屏蔽效果非常好,但工艺,成本都上升.绕组屏蔽有两种原理都在起作用:切断电容路径和电场平衡.所以绕组的匝数,绕向和位置对EMI的结果都有很大影响.可惜我不会在这里画图来讲解,总之有一点:屏蔽绕组感应的电压要和被屏蔽绕组工作时的电压方向相反. 屏蔽绕组的位置对电源的待机功耗有较大的影响.下节讲变压器浸漆和屏蔽绕组位置对待机功耗的影响.
屏蔽在初次级间时,其接地可以不接,接原边地,接次边地,接大地几种形式,一般接原边的地的情况较多.不知道cmg兄是如何处理的.
变压器的外部加屏蔽,特别在flyback中,由于要加气隙,在批量小或简单起见,不是只在中间加,而是磁心截面全有气隙,为减小外部气隙的磁场干扰,而加屏蔽的,此屏蔽一般接大地.
一些问题?
1. 实际的电容总有感抗成分在内,在共模频率内,接高压端和地线真对EMI没有分别吗?
2. \\\"变压器的外部屏蔽可以不接,也可以接初级地线,其对EMI的影响看绕组内部的情况\\\能详细说明一下吗?比如顺绕和夹绕时外部屏蔽该怎样处理呢? 3.\\\"磁芯就是初级\\\"是什么意思?
一点解释.
第一个确实几乎没有影响,我测过很多.
第二个有很多情况,我不一一细说,只告诉你一个原则,绕组最外层如果工作时电压变动大,则接地有巨大的影响,如果变动小,也有影响,但不是很大,当然电源功率本身很大时最好接地.
第三个是安规的问题,已经有人说了.
三明治繞法跟法拉第屏蔽是二回事，三明治繞法說的是，用二組初級側繞組將次級側包在裡面，或是用二組次級側將初級側繞組包在裡面，一般的做法是把原本要使用的Np分成二個部份，例如Np=20，那就先繞10圈，再繞次級Ns，然後再接著繞剩下的Np。這樣的做法是為了讓漏感減少，減少可能的共振行為。而法拉第屏蔽是要在初次級側加入一接地平面，讓初次級側的電容耦合效應減到最低，如果應用在三明治繞法的話，那就必須使用二個法拉第屏蔽，也就是初級側->法拉第屏蔽->次級側->法拉弟屏蔽->初級側。 法拉第屏蔽會經由導線接到初級側的GND。 此外，法拉第屏蔽不可以形成短路環，所以一般會使用具有背膠
的銅箔去做繞制
屏蔽是为了抗EMI,产生的原因是漏敢感造成的,不屏蔽会向变压器周围的空间发射,屏蔽以后会把这部分的能量吸收了,严格来说屏蔽是会多吸收变压器的一点能量,这个问题可以形象地来理解为一个内阻很大的电源向外工作带一个负载电阻,很大的内阻是说他只是漏感造成的,对外的感应能力等效于外带负载,屏蔽相当于把外面的负载短路了,这样的结果就是外面的负载上得不到能量,也就消除了EMI干扰,而被多吸收了得能量其实很小,就是因为它只是漏感,相当于电源内阻非常大,所以多吸收得能量其实非常小,一般设计时都不会考虑,但其确实存在.
3.“磁芯就是初级”是什么意思?
磁芯本身是既可当成一次侧,也可当成二次侧,如果你初级用双层绝缘线,使磁芯与初级绕组有加强绝缘,则磁芯算二次侧,要与一次侧保持安规距离,如次级绕组用双层绝缘线,则磁芯算一次侧,要与二次侧保持安规距离,cmg大哥则是把磁芯当成一次侧了,所以此时要注意二次侧出线脚与磁芯的距离,如距离不够则磁芯要绝缘胶布反包.
反激式电源的开关过程分析.
我看到有个帖子在讨论此问题,所以需详细写一下.我看到有个帖子在讨论此问题,所以需详细写一下.很多人对反激电源开关转换期间的过程不清楚,以至于产生电流突变等想法.我来详细解释一下:
MOS关断后,初级电流给MOS输出电容和变压器杂散电容充电(实际杂散电容放电,为简单,我们统一说充电),然后DS端电压谐振上升,由于电流很大,谐振电路Q值很小,所以基本上是线形上升,当DS端电压上升到在次级的电压达到输出电压加整流管的电压后,本应该次级就导通,但由于次极漏感的影响,电压还会上升一些来克服次级漏感的影响,这样反映到初级的电压也略高于正常反射电压,在这样条件下,次级电流开始上升,初级电流开始下降,但不要忘记初级的漏感,它由于不能偶合,所以它的能量要释放,这时是漏感和MOS输出电容,变压器杂散电容谐振,电压冲高,形成几个震荡,能量在嵌位电路消耗掉,这里要注意一点,漏感的电流始终是和初级电流串联的,所以漏感电流的下降过程就是次级电流的上升过
程,而漏感电流的下降过程是由嵌位电路电容上的电压和反射电压的差来决定的,此差越大,下降越快,转换过程越快,明显效率会提高,转换的过程是电压电流叠加的过程.
用RC做吸收时,由于稳态时C上的电压和反射电压差别不是太大,所以转换过程慢,效率低,用TVS做吸收时,其允许电压和反射电压差很多,所以转换快,效率高,当然RC耗电是另一个方面.
其次,RCD吸收回路吸收的能量恰恰向你说的,是由两部分组成,一部分是漏感的能量,还有一部分是初级电感储能.这后一部分是很多人不会想到的.
RC吸收电路的设计.
开关管和输出整流管的震铃是每个电源设计工程师最讨厌的事情.过度的震铃引起的过压可能使器件损坏,引起高频EMI问题,或者环路不稳,解决的办法通常是加一个RC吸收电路.但很多人不知该如何选取RC的值.
首先在不加吸收电路轻载下用示波器测量震铃的频率,但注意用低电容的探头,因为探头的电容会引起震铃频率的改变,使设计结果不准.
其次,在测量震铃频率时尽可能在工作的最高电压下,因为震零的频率会随电压升高而变化,这主要是MOS或二极管的输出电容会随电压而变化.
震零产生的原因是等效RLC电路的震荡,对于一个低损的电路,这种震荡可能持续几个周期.要阻尼此震荡,我们要先知道此震荡的一个参数,对MOS,漏感是引起震荡的主要电感,此值可以测出,对二极管,电容是主要因素,可以有手册查出.计算其阻抗:知道L,则Z=2*3.14*f*L;知道C,Z=1/(2*3.14*f*C).先试选R=Z,通常足可以控制震铃.
但损耗可能很高,这时需要串联一个电容来减小阻尼电路的功率损耗.可如此计算C值:C=1/(3.14*f*R).增加C值损耗就增加,但阻尼作用加强,减小C值当然是相反的作用.
电阻的损耗P=C*(V*V)Fs.当然在某些电路形式里面损耗可能是0.5P. 实际中,可依计算的值为基础,根据实验做一些调整.
LC串联谐振时阻抗最小； LC并联谐振时阻抗最大；
全波整流中整流管承受的反相压降为输出电压的两倍。。。
数字集成芯片 电源端要接一个0.1u
在下面要讲的是，输出端使用铝电解电容的时候。
在这里使用到了一个经验“铝电解电容的串联等效电阻ESR是电容容抗XC的两倍”。这个是开关电源入门一书中提到的....第一章..
网上下不到电子档，手上也没有书，大家有书的看看...
电感：电流的变化是由电压引起的，若电压为+，则电流一直增加（和电流正负无关）；若电压为—，则电流一直减小（和电流正负无关）；感压上。可见，电感上电压是因，电流是果。
电容：电压的变化是由电流引起的，若流为+，则电压一直增加（和电压正负无关）；若电流为—，则电压一直减小（和电压正负无关）；可见，电容上电流是因，电压是果。
clamp diode： 钳位二极管
调理电路：
信号调理：就是信号处理电路，把模拟信号变换为用于数据采集、控制过程、执行计算显示读出或其他目的的数字信号。模拟传感器可测量很多物理量，如温度、压力、光强等...但由于传感器信号不能直接转换为数字数据，这是因为传感器输出是相当小的电压、电流或电阻变化，因此，在变换为数字信号之前必须进行调理。调理就是放大，缓冲或定标模拟信号等，使其适合于模/数转换器(ADC)的输入。然后，ADC对模拟信号进行数字化，并把数字信号送到MCU或其他数字器件，以便用于系统的数据处理。
电脑上USB接口的输出电流是多少毫安时?
普通USB电源或充电器普遍功率比较小，输出电流普遍在500毫安时以下。
电阻标值为0欧姆的电阻为0欧电阻。
0欧电阻是蛮有用的。大概有以下几个功能：
①做为跳线使用。这样既美观，安装也方便。
②在数字和模拟等混合电路中，往往要求两个地分开，并且单点连接。我们可以用一个0欧的电阻来连接这两个地，而不是直接连在一起。这样做的好处就是，地线被分成了两个网络，在大面积铺铜等处理时，就会方便得多。附带提示一下，这样的场合，有时也会用电感或者磁珠等来连接。
③做保险丝用。由于PCB上走线的熔断电流较大，如果发生短路过流等故障时，很难熔断，可能会带来更大的事故。由于0欧电阻电流承受能力比较弱（其实0欧电阻也是有一定的电阻的，只是很小而已），过流时就先将0欧电阻熔断了，从而将电路断开，防止了更大事故的发生。有时也会用一些阻值为零点几或者几欧的小电阻来做保险丝。不过不太推荐这样来用，但有些厂商为了节约成本，就用此将就了。
④为调试预留的位置。可以根据需要，决定是否安装，或者其它的值。有时也会用*来标注，表示由调试时决定。
⑤作为配置电路使用。这个作用跟跳线或者拨码开关类似，但是通过焊接固定上去的，这样就避免了普通用户随意修改配置。通过安装不同位置的电阻，就可以更改电路的功能或者设置地址。
各种电容的优缺点
极性 无 名称 制作 优点 缺点 无感CB2层聚丙无感，高频不适合做大B电容 乙烯塑料特性好，体容量，价格和2层金积较小 属箔交替夹杂然后捆绑而成。 比较高，耐热性能较差。 无 2层聚乙烯塑料和CBB电2层金属有感，其他 容 箔交替夹同上。 杂然后捆绑而成。 体积小，耐薄瓷片两压高，价格瓷片电易碎！容量面渡金属低，频率高容 低 膜银而成。 （有一种是高频电容） 体积大，容云母片上容易生产，云母电量小，（几镀两层金技术含量容 乎没有用属薄膜 低。 了） 独石电 容 体积比CBB更小，其他 同CBB，有感 无 无 无 有 两片铝带和两层绝缘膜相互层叠，转捆电解电后浸泡在容量大。 容 电解液（含酸性的合成溶液）中。 高频特性不好。 有 用金属钽作为正极，稳定性好，造价高。（一在电解质钽电容 容量大，高般用于关键外喷上金频特性好。 地方） 属作为负极。
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