变压器绕组绕在底芯骨架上,特别是饶组的层数较多时,不可避免的会产生分布电容,由于 变压器工作在高频状态下•那么这些分布电容对变压器的工作状态将产生非常大的影响,如 引起波形产生振荡,
EMC变差,变压器发热等。
所以,我们很有必要对变压器的分布电容狠狠的研究一把,下面我们就对这个分布电容 来展开讨论。
分布电容既然有危害,那么我们就要设法减小这个分布电容的影响,首先我们来分析下 分布电容的组成。
变压器的分布电容主要分为4个部分:绕组匝间电容.层间电容,绕组电容,杂散电容, 下面我们来分别介绍。
首先讲讲绕组匝间电容
我们知道电容的基本构成就是两块极板,当两块极板加上适当的电压时,极板之间就会 产生电场,并储存电荷。
那么,我们是否可以把变压器相邻两个绕组看成连个极板呢答案是可以的,这个电容就 是绕组匝间电容。
以变压器初级绕纽为例,当直流母线电压加在绕组两端时,各■绕组将平均分配电压,每 匝电压为VbUs/N.也就是说毎匝之间的电压差也是Vbus∕N 要减小这个电容的影响,我们可以从电容的定狡式中找到答案: C= ε S/4 π kd 其中C:绕组匝间电容量 ε :介电常数,由两极板之间介质决定 S:极板正对面积 k:静电力常量 d:极板间的距离 从上式我们可以看出,可以选用介电常数较低的漆包线来减小匝间电容,也可以增大绕 组的距离来减小匝间电容,如釆用三重绝缘线。 接下来我们来看看看绕组的层间电容,这里的层间电容指的是毎个单独绕组各层之间的 电容。 我们知道,在计算变压器时,一般会出现单个绕纽需要绕2层或2层以上,那么此时的 每2层之间都会形成一个电场,即会产生一个等效电容效应,我们把这个电容称为层间电容。 如下图: 电容C就是层间电容 层间电容是变压器的分布电容中对电路影响置重要的因素,因为这个电容会跟漏感在 MOSFET开通于关闭的时候,产生振荡,从而加大MOSFET与次级Diode的电压应力,使EMC 变差。 既然有害处,那么我们就需要想办法来克服它,把它的影响降低到可以接受的范国。 方法一:参照6楼的公式,在d上作文章,增大绕组的距离来滅小层间电容,最有代表 性的就是釆用三重绝缘线。 但这个方法有缺点,因为线的外径粗了之后,带来的后果就是绕线层数的增加,而这不 是我们想看到的。 方法二:可以通过选择绕线窗口比较宽的磁芯骨架,因为绕线窗口宽,那么单层绕线可 以绕更多 的匝数,也意味着可以有效降低绕线的层数,那么层间电容就有效降低了。 这个是罠直接的,也是爺有效的。 但同样有缺点,选择磁芯骨架要受到电源结构尺寸的限制。 方法三:可以在变压器的绕线工艺上来作文幸 可以釆用交义堆叠绕法来降低层间电容,如下图 此种绕法有个显着缺点,会增加初次级之间的耦合面积,也就是说会加大初次级绕组之 间的电容,使EMC变差,有点得不偿失的感觉。 方法四:还是在绕制工艺上作文章 先来看普通的绕法 如上图,这个是我们常用的绕法(也叫U形绕法),我们可以清楚的看到,第1匝与第 2N匝之间的压差将非常大,在初中我们学过的扬理上有讲,Q=C*U,压差越大,那么在这个 电容上储 存的电荷就越多.那么这个地方的干扰电压斜率将非常大,也就是说在这个地方形 成的干扰就越大。 我们可以釆用Z形绕法来降低这个影响 Z形绕法(也叫折叠绕法)如下 从上图我们可以看到.此种绕法可以显着降低电压斜率,对EMC时非常有利的。 缺点就是绕制工艺相对复杂点。 接下来说说绕组电容 顾名思狡,绕组电容就是指绕组之间产生的电容,比如说初级绕纽NP与次级绕组NS 之间的电容 此电容由于存在于初次级绕组之间,对电路的EMl是相当不利的.因为初级产生的共模 电流信号可以通过这个电容耦合到次级中去,这就造成了非常大的共模干扰;而共模千扰可 能会引是电路噪音或者输出的不稳定。 解决的方法一般就是在初次级之间加一个屏蔽层,并且将这个屏蔽层接到电路中的某 点,来降低此电容的影响 一般把这种屏蔽层称为法拉第屏蔽层,一般由铜箔或绕组构成 在用铜箔时,我们一般用,或者•不选择1T,因为仃的话,容易短路。 那为何不能短路呢,短路会带来什么样的后果 将磁力线短路了,那么电感就接近零,再反射到初级,那么初级的电感也为零,这个时 候初级是通电的,结果……“砰”就炸机了。 因篇幅问题不能全部显示,请点此查看更多更全内容