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讨论开关电源中MOSFER驱动电阻的功耗下图是最常用的

来源：知库网

讨论开关电源中MOSFER驱动电阻的功耗.下图是最常用的MOSFET驱动：

目的是计算R1上所消耗的功率。

参考“AN799Matching MOSFET Drivers to MOSFETs“中计算MOSFET驱动损耗的方法计算出MOSFET的驱动损耗，也可查表得出MOSFET管IRFS41N15的总电荷QG=82nC(VGS=12V,VDS=120V).

按理说，VGS通过R1对MOSFET的输入电容充电，充电电荷量为QG。则充电电流为 IQGQG trRCgTr为电容充电时间，tr=RCg.Cg为栅极等效电容，Cg=以IRFS41N15D为例： Cg=

QG（这个不知道有没有问题） VGQG=82nC/12=6.83nF VG则IQGQG= 3.6A(有点绕，其实就是I=V/R，但是在理想情况下，实际情况tr不是trRCg简单的等于RC，应该还会乘一时间常数？)

如果前面推理正确的话，那么消耗在R1上的功率为：

P=I2*R=42.77W，很明显这是不合理的，因为实际中使用的是1206封装的电阻，最大功耗为250mW，且工作正常。

请各位高手说明一下问题出在哪里？？？

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