一种低相位误差衰减器[发明专利]

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专利名称：一种低相位误差衰减器专利类型：发明专利发明人：刘超

申请号：CN2018103483.7申请日：20180427公开号：CN108599735A公开日：20180928

摘要：本发明公开一种低相位误差衰减器，所述衰减器的输入端和输出端之间串联有多个控制的衰减模块，所述每个衰减模块均设置有低通相移补偿网络，所述低通相移补偿网络用于使所在衰减模块在衰减状态时具有低通特性，所述每相邻两个衰减模块之间均设置有深阱隔离。本发明通过在每一个衰减模块中加入低通相移补偿网络，使每一个衰减模块在衰减状态时具有和参考状态一样的低通特性，从而可以有效降低每一个衰减模块的寄生相位差。

申请人：成都聚利中宇科技有限公司

地址：610213 四川省成都市双流区公兴镇工兴大道一号电子科技大学科技园23栋

国籍：CN

代理机构：成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙)

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