1 范围
1.1 本工艺适应于防爆电器产品中本安用锗、硅半导体二极管、三极管、集成电路、电容器元件的老化筛选。
1.2 本工艺适用于进厂检验合格的元件进行老化筛选。
2 引用标准
2.1 GB4032半导体分立器件
GB4936.1半导体分立器件总规范
GB4938 半导体分立器件接收和可靠性
3 设备、仪器、工具
3.1 晶体管老化台
3.2 晶体管特性图示仪
3.3 晶体二极管测试仪
3.4 万用电桥
3.5 电容测试仪
3.6 电热鼓风干燥箱
3.7 交流稳压器
3.8 万用表
4 高温储存
4.1目的
使具有潜在缺陷的器件（如污染、引线不良、氧化缺陷等）提前失效，加以清除。
4.2储存温度
a) 锗二、三极管：85±2℃
b) 硅二、三极管：85±3℃
c) 集成电路： 85±2℃
4.3 储存时间 24h
4.4 试验方法
4.4.1初试
4.4.1.1标准测试条件
a) 环境温度：25±5℃
b) 相对湿度：45%～75%
c) 大气压力：86～106kpa
4.4.1.2 技术要求
按器件电参数规范测试
a） 二极管
VBR：击穿电压。
IK： 反向电流。
b) 三极管
ICBO：集电极—基极反向击穿电流。
V（ER）CEO：集电极—发射极反向击穿电压。
VCE（sat）：集电极—反向饱和压降。
IC—VCE：共射极输出特性曲线。
HFE：共射极静态电流放大系数。
c) 稳压二极管
UZ：稳定电压
IZ： 稳定电流
d) 电阻器
选择筛选的电阻器测量阻值的误差范围不得超过±5%。
e) 集成电路
选择能预示器件早期失效的参数，作为筛选参数。
注：集成电路种类、规格繁多，差异较大，根据实际应用情况选测主要参数。
f) 电容器
电解电容量允许误差为±20%，无极电容电容量允许误差为±5%。
4.4.2 试验步骤
4.4.2.1 将初测合格的器件装入专用金属盒,放入烘箱,把温度调到规定值.
4.4.4.2 温度达到规定值时开始计算时间,48h后取出器件,并在室温下恢复应不少于1h.
4.4.2.3 重复4.4..1条的测试步骤.
5常温静态功率老化
5.1 目的
在较长时间内对器件连续施加一定的电压力,通过电—热应力的综合作用,来加速器件内部的物理\\化学反映的过程.促使器件内部各种潜在的缺陷及早暴露,以剔除早期失效的器件.
5.2 试验要求
5.2.1 二极管
5.2.1.1 检波、开关、整流二极管的正向电功率的老化，应取额定正向电流的1.5倍，老化时间为48h。
5.2.1.2 稳压二极管的反向电功率老化，应以其额定功率的2倍进行，老化时间为48h。
5.2.2 三极管
5.2.2.1 当PCM≤500mw时，在0.6BVCEO电压下，按额定功率的1.2倍老化，老化时间48h.
5.2.2.2当1w≥PCM＞500mw时，在0.6BVCEO电压下，按额定功率的1.5倍老化，老化时间48h.
5.2.2.3 当PCM＞1w时，在0.5ICM电流下，按额定功率老化时间，时间为12h。此时应按产品技术条件规定加装散热片。
5.2.2.4 当使用晶体管热敏参数快速筛选设备对上述器件进行老化时，其老化时间及试验方法，按设备的相应规定进行。
5.3 试验方法
5.3.1 初测
按4.4.1的步骤进行。
5.3.2 试验步骤
5.3.2.1 按晶体管老化台说明书要求，将该设备各开关，预置在规定位置。（包括：NPN、PNP转换，电压极性、电压范围等）。
5.3.2.2 插好三极管（数量不够时允许有空位）.
5.3.2.3 上述准备工作完成以后，接通老化台电源。
5.3.2.4 按老化条件要求调好所施加的电压，并开始计算时间。
5.3.2.5 达到老化时间后切断老化实验台电源。
5.3.2.6 重复4.4.1的步骤。
6 注意事项
6.1 常温静态功率老化过程中，应随时监测电压、电流数值，以保证老化条件的稳定。
6.2 在初测及复测时，要防止因失效的半导体器件引起仪表过载。
6.3 试验时，如果热源温度失控，就可能破坏或损伤器件，因此，热源应装备重复的过热控制来限制最高温度。
7 验收规则
7.1 由质检部接到检验通知单后进行。首先检查元件是否为本公司的合格供方，出厂产品是否有合格证明等。
7.2 电解电容的出厂期不得超过一年。
7.3 所有元件抽样检查，抽样率5%，初测时被抽取的样品总数经检测合格率低于98%的，则判定该批总体不合格。否则判定该批总体为合格品。经电热老化后的样品总数检验
合格率低于98%的，则判定该批总体不合格，否则判定该批总体为合格品。
7.4 对检测不合格的电子元件，开出检验不合格单，及时反馈有关部门。
7.5 检验记录应认真填写，交质检部门备查。
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