高压大功率碳化硅二极管封装结构及封装工艺

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201510669808.3 （22）申请日 2015.10.13

（71）申请人 济南市半导体元件实验所

地址 250014 山东省济南市和平路51号

（10）申请公布号 CN105226030A

（43）申请公布日 2016.01.06

（72）发明人 许为新;杨旭东;李东华;马捷 （74）专利代理机构 济南泉城专利商标事务所

代理人 李桂存

（51）Int.CI

H01L23/08; H01L23/48; H01L23/367; H01L23/373; H01L29/872; H01L21/60;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

高压大功率碳化硅二极管封装结构及封装工艺

（57）摘要

本发明公开了一种高压大功率碳化硅二极

管封装结构及封装工艺，二极管封装结构包括外

壳、位于外壳内的一个或者多个串联在一起的芯片以及连接于外壳两端的引线，所述外壳是陶瓷外壳，芯片焊接于陶瓷外壳的内底面，芯片的两侧各设有一导带，外壳两端的引线均焊接在导带上，其中一个导带上焊接有过渡片，过渡片与芯片电极之间通过键合丝完成电连接。所述封装工艺采用芯片真空焊接、键合丝超声键合等工艺，使该二极管强度高、漏电小、芯片工作温度低，可靠性好等优点。

法律状态

法律状态公告日

法律状态信息

2016-01-06 公开 2016-01-06 公开

2016-02-03 实质审查的生效 2016-02-03 实质审查的生效 2018-12-18

授权

法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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说明书

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