专利名称：一种制备大晶粒铸造多晶硅的新型石墨底板专利类型：实用新型专利
发明人：罗大伟,王临水,路忠林,林洪峰,张凤鸣申请号：CN201220432093.1申请日：20120829公开号：CN202730303U公开日：20130213
摘要：本实用新型公开了一种制备大晶粒铸造多晶硅的新型石墨底板，包括贴附在石英坩埚底部的石墨底板，所述石墨底板内镶嵌有若干均匀分布的冷源块，所述冷源块为点冷源块或\\和棱冷源块。本实用新型的有益效果是，减少在铸锭多晶结晶初期的成核数量，并且在结晶初期控制晶粒横向长大后再向上生长，从而获得具有较大横截面积的柱状多晶硅晶锭。降低铸锭多晶硅体内晶界及缺陷密度，提高晶体质量，从而提高光伏电池的转换效率。
申请人：天威新能源控股有限公司
地址：610000 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区天威路1号
国籍：CN
代理机构：成都行之专利代理事务所(普通合伙)
代理人：廖曾
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