专利名称：氮掺杂还原氧化石墨烯场发射阴极的制备方法专利类型：发明专利发明人：宋也男,余洋,李璧丞申请号：CN202010228089.2申请日：20200327公开号：CN111498836A公开日：20200807
摘要：本发明公开了一种氮掺杂还原氧化石墨烯场发射阴极的制备方法，包括将氧化石墨烯加入有机溶液，粘于导电石墨棒一端；将沾有氧化石墨烯的导电石墨棒置于石英管中，与过量壳聚糖进行化学气相沉积，再通入氢气进行还原，得到氮掺杂氧化还原石墨烯。可用于制备场发射器件阴极。本发明通过掺杂氮原子，可以降低功函数并在石墨烯表面引入更多发射位点，有效降低场发射的开启电压，提高发射增强因子，可用于适用于场发射平板显示器、场发射光源、真空电子器件等中的电子源。
申请人：华东师范大学
地址：200241 上海市闵行区东川路500号
国籍：CN
代理机构：上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙)
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