专利名称：氮化物半导体元件及其制法专利类型：发明专利发明人：中原健
申请号：CN200680015994.8申请日：20060508公开号：CN101171694A公开日：20080430
摘要：本发明提供通过将加工性好的氧化锌系化合物用作基板，使生长的氮化物半导体的结晶性良好，而且具有能够非常简单地进行基板剥离和芯片化的结构的氮化物半导体元件及其制法。当在基板(1)上叠层氮化物半导体层形成氮化物半导体元件时，基板由MgZnO(0＜x≤0.5)构成，与该基板相接地设置有由InGaN(0≤y≤0.5)构成的第一氮化物半导体层(2)，在该第一氮化物半导体层上叠层氮化物半导体层(3)～(7)，以形成半导体元件。
申请人：罗姆股份有限公司
地址：日本京都府
国籍：JP
代理机构：北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人：龙淳
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