DRAM存储控制方法及装置[发明专利]

来源：知库网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：DRAM存储控制方法及装置专利类型：发明专利发明人：冯波,张涛,陶志飞申请号：CN201010126558.6申请日：20100318公开号：CN1017863A公开日：20100728

摘要：本发明公开了一种DRAM存储控制方法及装置，该方法包括：A10、对读、写请求解码，并根据BANK地址重新排列成多个基于各BANK的读、写请求队列；A20、分别对读、写请求进行仲裁；A30、分别生成各自的读、写请求命令以及激活命令和/或预充电命令；A40、将读、写请求命令送至命令总线，并在满足DRAM读、写保护时限的前提下，在该BANK读、写请求队列中的读、写命令请求命令之前插入其他BANK读、写请求队列中的读、写命令请求的激活命令和/或预充电命令。本发明，将激活指令和预充电指令可以完全隐藏在数据传输过程中，表面上DRAM数据总线一直在进行数据传输，因此大大提高了DRAM的总线效率。

申请人：烽火通信科技股份有限公司

地址：430074 湖北省武汉市东湖开发区关东科技园东信路5号

国籍：CN

代理机构：北京捷诚信通专利事务所

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文