专利名称：半导体器件结构和制造方法专利类型：发明专利
发明人：廖振良,陈致孝,黄以理,李曜宇申请号：CN201410352441.8申请日：20140723公开号：CN104821332A公开日：20150805
摘要：本发明的实施例提供了半导体器件结构及其形成方法。该半导体器件结构包括位于衬底上方的金属栅极。第一间隔件形成在金属栅极的侧壁上方并且具有第一高度。第二间隔件形成在金属栅极的侧壁上方并且具有第二高度。第一高度高于第二高度。第一间隔件比第二间隔件更远离金属栅极的侧壁。此外，该半导体器件结构包括在衬底上方形成的介电层以围绕第一间隔件和金属栅极。
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
地址：中国台湾新竹
国籍：CN
代理机构：北京德恒律治知识产权代理有限公司
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