专利名称：一种磁介质数据的销毁方法及消磁磁场产生电路专利类型：发明专利
发明人：易涛,杨林,卿昱,张剑,温柏龙,杨啸林,刘晓毅申请号：CN201010564540.4申请日：20101130公开号：CN102364577A公开日：20120229
摘要：本发明适用于电磁领域，提供了一种磁介质数据的销毁方法及消磁磁场产生电路，所述方法通过对磁介质施加一可控的交变脉冲衰减强磁场进行消磁，在消磁的初始阶段进行强磁场消磁，此阶段中各个脉冲的磁场峰值强度均大于两倍的矫顽力Hc；在后续阶段进行交流消磁，此阶段中磁场峰值强度将由Hc逐步减小至0。该方法综合了直流退磁与交流退磁的优点，能够保证磁介质数据销毁的彻底性。
申请人：中国电子科技集团公司第三十研究所
地址：610061 四川省成都市高新区创业路6号
国籍：CN
代理机构：成都九鼎天元知识产权代理有限公司
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