专利名称：相移光掩模和图案化方法专利类型：发明专利
发明人：B·奥尔森,M·刘,C·马,J·马,A·T·贾米森申请号：CN201080060390.1申请日：20101208公开号：CN102822741A公开日：20121212
摘要：一种相移光掩模坯，具有石英衬底、下铬层、光吸收MoSi层和上铬层。能以各种手段来图案化该掩模以形成带有相移和二元区域的图案化的光掩模。
申请人：英特尔公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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