专利名称：薄膜沉积装置及薄膜沉积方法专利类型：发明专利发明人：江润峰,曹威,戴树刚申请号：CN201410161239.7申请日：20140422公开号：CN103898476A公开日：20140702
摘要：本发明公开了一种薄膜沉积装置，包括晶舟，反应炉管和气体供给单元。晶舟包括多个支柱以及设置于所述多个支柱内周侧相互对应位置、用于保持所述多个硅片的外周侧的多个保持部。每一所述支柱的多个保持部配置为：各个相邻的所述保持部的间隔以第一间隔和第二间隔依次交替排列且间隔为所述第一间隔的两个相邻的保持部以待处理表面相对的方式保持所述硅片，所述第一间隔大于所述第二间隔。本发明能够有效提高膜厚均匀性。
申请人：上海华力微电子有限公司
地址：201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
国籍：CN
代理机构：上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
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