专利名称：纳米材料及其制备方法和应用专利类型：发明专利
发明人：何斯纳,吴龙佳,吴劲衡申请号：CN201910763112.5申请日：20190819公开号：CN112397660A公开日：20210223
摘要：本发明提供了一种纳米材料，所述纳米材料包括InS纳米材料和掺杂在所述InS纳米材料中的Sn，且所述掺杂型InS纳米材料中，In与Sn的摩尔比为1:0.001～0.05。本发明提供的纳米材料，提高InS纳米材料的载流子浓度，降低电阻率，从而提高电子传输能力，促进电子‑空穴在量子点发光层中有效地复合，进而降低激子累积对器件性能的影响，提高量子点发光层性能。
申请人：TCL集团股份有限公司
地址：516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
国籍：CN
代理机构：深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人：黄志云
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