第３１卷，第１２期 ２ ０ １ １年１ ２月 光谱学与光谱分析 Ｖｏ１．３１，Ｎｏ．１２，ｐｐ３２２３—３２２７ Ｄｅｃｅｍｂｅｒ，２０１ １ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ ａｎｄ Ｓｐｅｃｔｒａ１ Ａｎａｌｙｓｉｓ Ｅｕ２＋掺杂Ｓｒ２ＳｉＯ４长余辉材料的热释光研究 彭铁球，王银海 ，李 亚，熊 毅 广东工业大学物理与光电工程学院，广东广州 ５１０００６ 摘要采用高温固相法在弱还原的气氛下合成了Ｓｒ２ＳｉＯ 高亮度的黄色长余辉材料。通过ｘ射线衍射 （ＸＲＤ）分析发现所制得的样品属于ａ／－Ｓｒ２ Ｓｉ０４斜方晶系结构；样品的光致发光特性表明，在３２０ ｒｉｍ激发光 的照射下，出现峰位为４９０ ｎｌＴｌ的宽带发射峰。样品余辉特性显示：样品的余辉衰减曲线符合双指数衰减。 在温度２９３￣５９８ Ｋ内样品有４个热释光峰，峰值温度在３４６，４２０，４５７和５５２ Ｋ附近。不同的等待时间热释 光曲线表明：在衰减过程中，热释光峰位置发生移动，显示材料中存在缺陷能带；同时不同深度的陷阱能级 衰减规律不同，表明了陷阱能级之间存在电子转移现象。 关键词长余辉；热释光；ＳｒｚＳｉ０４；高温固相法；陷阱能级 文献标识码：Ａ ＤＯＩ：１０．３９６４／ｊ．ｉｓｓｎ．１０００—０５９３（２０１１）１２－３２２３—０５ 光二极管）的荧光发光粉，从而成为了研究热点。自１９６８年 中图分类号：０４３３ 引 言 长余辉材料是指将太阳光，日光灯的光以及其他光的能 量存储起来，在室温下以可见光的形式缓慢释放出来的材 料。由于其不需要消耗多余的能量而且对环境没有污染，是 一Ｂａｒｒｙ报道了它的发光特性以来＿６］，研究人员便投人了大量 的精力对其进行研究，并取得了不小的成绩，如ＳＵＮ等＿７］ 以及Ｂａｃｃｅ等Ｉ８］分别通过高温固相法制备了发射黄绿光的 ｓｒ２ｓｉ０４：Ｅｕ ’。的磷光体和发红光的Ｓｒ２Ｓｉ０４：ＥＵ３。。磷光体； Ｋｉｍ等ｌ９］研究了温度对＾ Ｓｉ０４：Ｅｕ抖（Ｍ—Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）发 种非常理想的储能材料，因此自１８６６年法国人Ｓｉｄｏｔ首次 射谱的影响，发现随着温度的升高Ｓｒ２Ｓｉ０４：Ｅｕ。 的发射谱 出现红移且发射光强度增加，而ＣａｚＳｉ０４：Ｅｕ抖和ＢａｚＳｉ０４： 发现ＺｎＳ型荧光粉具有长余辉现象以来，大量的科研人员对 这种长余辉材料进行了广泛的研究，研究范围从硫氧化物， 到铝酸盐、硅酸盐以及磷酸盐等等，在发光机理以及实际应 用方面都取得了重大的进展Ⅲ１。］。材料的长余辉和陷阱能级 问存在着直接的联系，陷阱能级的深度决定了材料的余辉时 间，而微观上的陷阱能级可以通过热释光技术来测量，因此 Ｅｕ件的发射谱则是出现蓝移等。 本工作主要以ｓｒｚｓｉ０４为基质，通过高温固相法制备了 Ｅｕ 掺杂的ｓ ｒ１＿。 ｓｉ０４：Ｅ 磷光体，测量了它的晶体结构 和光谱特性。仔细测量了不同等待时间的热释光谱，发现了 不同的热释光峰随等待时间有不同的衰减规律，探讨了样品 陷阱能级之间可能存在电子转移现象。 研究材料的热释光对认识材料的余辉特性具有重要的意义。 如谢伟等［４］在Ｃａ离子取代ｓｒ的过程中，发现Ｃａ的掺入量 影响Ｓｒ４ Ａ１ ０２ｓ：Ｅｕ ，Ｄｙ３ 的余辉时间，并发现余辉时间 的变化源于不同深度的陷阱能级。Ｌａｋｓｈｍｉｎａｒａｓｉｍｈａｎ等＿５］ 在Ｓｒ２ Ｓｉ０４：Ｅｕ 基质中通过分别共掺杂Ｃｅ，Ｎｄ，Ｓｍ和Ｄｙ 离子，发现当在基质掺杂Ｄｙ离子时，基质中可以产生 １实验部分 １．１样品制备 采用高温固相法制备了磷光体的样品。根据Ｓｒ Ｓｉ（ｈ： Ｅｕ。－ｏｓ化学计量比准确称取原料ＳｒＣＯ３（分析纯），Ｓｉ０２（分析 深浅适当的陷阱能级，等等。我们在测量热释光的过程中也 发现，在激发停止后等待时间不同样品的热释光会有不同。 相关的研究没有见到文献报道。 纯），Ｅｕ。０３（９９．９ ），将上述原料称取好之后放入研钵中充 分研磨１ ｈ，使各原料混合均匀，制备前驱体。接着将前驱体 装入刚玉小舟中，放入高温管式炉中升温４．５ ｈ至１ ２５０℃， 在众多的长余辉发光盐体系中，Ｅｕ抖掺杂ｓｒｚ ｓｉ０４发光 材料不仅可以储存能量释放出长余辉更是可以作为ＬＥＤ（发 收稿日期：２０１１－０３—０５，修订日期：２０１１—０６—２８ 基金项目：国家自然科学基金项目（２０８７１０３３）资助 并在１ ２５０℃弱还原气氛下（５ Ｈ２和９５ Ｎ２）保温３．５ ｈ， 作者简介：彭铁球，１９８６年生，广东工业大学物理与光电工程学院硕士研究生 ＊通讯联系人 ｅ－ｍａｉｌ：ｙｈｗａｎｇ＠ｇｄｕｔ．ｅｄｕ．ｃｎ ｅ－ｍａｉｌ：ｐｅｎｇｔｉｅｑｉｕ＠１６３．ｃｏｍ ３２２４ 光谱学与光谱分析 第３ｌ卷 最后在氮气做为保护气体的的情况下冷却至室温并取出即得 所需磷光体样品。 １．２样品测量 可以肉眼观察到很强的余辉，其可见余辉时问达到１Ｏ ｒａｉｎ， 为此我们测试了其余辉衰减特性，并采用单光子计数系统测 量了样品在激发停止后发光强度随时问的变化，即余辉特 性。 利用ＭＳＡＬ－ＸＤ－２型Ｘ射线衍射仪对样品的结构和物相 进行分析，采用Ｃｕ靶，波长为０．５４ ｉｌｍ，对样品进行扫描． 扣描的起始角为１４。，终止角为７Ｏ。，步宽为０．０２。。样品的激 发和发射光谱用ＨＩＴＡｃＨＩＦ＿７ｏＯＯ荧光光谱仪进行分析。用 ＧＳＺＦ－２Ａ型单光子计数系统测试样品的余辉特性，测试前 ２５４ ｎｍ的紫外灯下激发４ ｒａｉｎ。用ＦＪ２７Ａ１微机热释光剂 量计对样品进行热释光分析，分析前用日光灯对同一样品光 照４ ａｒｉｎ，关闭光源后，分别对样品等待３，１５，６０，１８０以及 ６００ ａｒｉｎ后接着采用１℃・Ｓ＿１的升温速率，从室温至３５０℃ 的温度范围对样品进行热释光检测。 ２结果与讨论 ２．１样品的）ａＲＤ分析 图ｉ为所制得的样品的Ｘ射线粉末衍射（ｘＩ Ｄ）图。结果 表明 Ｉ ２５０℃弱还原气氛的高温固相法下所制得的样品中 没有发现Ｅｕｚ０３的衍射峰，且样品为单相，其衍射峰图谱与 ＪＣＰＤＳ 片Ｎｏ．３９ １２５６的衍射图谱基本吻合，由此推断成 功合成了ａ Ｓｒｚ Ｓｉ０４斜方晶系结构。而通过仔细观察后我们 发现所制得的样品衍射峰和标准卡片对比有稍许偏移，这可 能是由于ｓｒ抖离子半径比Ｅｕ 。Ｌ离子半径大（［ｓｒ２１。］一０．１１２ ｎｍ，［Ｅｕ ］一ｏ．１０７ ｎｍ）所导致的，同时也说明了Ｅｕ 已经 完全进入Ｊ，ＳｒｚＳｉ０４品格之中。 ２Ｏ ３０ ４Ｏ ５Ｏ ６Ｏ ７０ ２ 。） Ｆｉｇ．１ ＸＲＤ ｐａｔｔｅｒｎ ２．２样品的发光性质分析 图２为样品的激发和发射光谱，其中实线ｎ是对４９０ ｎｒｎ 进行 测所得到的激发光谱，虚线ｂ则是样品在３２０ ｎｍ激 发光照射下的发射光谱。由图２ｎ可知，样品是含有两个激发 峰的宽带峰，峰位分别为２９０和３２０ ｒｉｍ。图２６显示，发射图 谱为明显的宽带谱，半峰宽为１００ ｎｍ，峰位在４９０ ｎｉｎ处， 这和文献［１０３中所记载的一致，是典型的Ｅｕ 的４ ５ 一 ４ 跃辽… 。 ２．３样品的余辉特性 采用２５４ ｒｌＩＴＩ的紫外灯对样品进行光照４ ａｒｉｎ，在室温下 ２５０ ３００ ３５０ ４００ ４５０ ５００ ５５０ ６００ ６５０ Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ／ｎｍ Ｆｉｇ．２ ａ：Ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ ｓｐｅｃｔｒｕｍ ｂ：Ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｓｐｅｃｔｒｕｍ 图３为所测量的结果。从测量结果中我们可以看出衰减 过程可以划分为开始的快衰减过程和随后的慢衰减过程，我 们将样品的长余辉衰减曲线进行拟合，可得到样品的长余辉 衰减曲线与双指数函数所得的曲线基本一致（图３ 的实线 ｎ代表样品的衰减曲线，虚线ｂ为拟合所得的曲线）， 以用 下式表示ｌ１ ］ ｊ—Ｊ１ ｅＸｐ（ ）＋Ｉｚｅｘｐ（ ） （１） 其中Ｊ表示样品的荧光强度。ｊ 和ｊｚ是和初始亮度干¨关的 常数，ｎ和ｒｚ分别为快衰减和慢衰减的的寿命常数，对余辉 起主要贡献的是慢衰减常数Ｚ＇２。通过拟合ＩＪＩ以得到ｔ 一１７．５ Ｓ，ｔ —１３３ Ｓ ０ ｌ００ ２００ Ｔｉｍｅ／ｓ Ｆｉｇ．３ Ｔｈｅ ｄｅｃ．ｄｙ ｃｕｒｖｅ ｏｆ Ｓｒ２ＳｉＯ４：Ｅｕ２ ａ ａｎｄ ｆｉｔｔｅｄ ｃｕｒｖｅ ｂ ２．４样品的热释光分析 材料的长余辉特性和陷阱能级之间有直接的联系，材料 中由于引入了稀土离子，产生了缺陷，同时形成了电子陷阱 能级。当样品受到光激发时，发光中心的基态电子受激发跃 第１２期 光谱学与光谱分析 ３２２５ 迁至激发态，同时激发态的电子亦迁移回基态，伴随发光。 而随着电子陷阱能级的引入，当电子从激发态跃迁回基态的 过程中，部分电子被陷阱能级捕获，当对样品停止激发时， （Ｔ）一 ０ｅＸｐ（ ）× 由于外界环境的热扰动的作用，使得被俘获的电子以缓慢的 方式从陷阱能级中逃逸出来，并在发光中心与空穴复合，形 『 ×Ｔ。ｅｘｐ（ ）＋ ” 其中Ｓ为逃逸频率因素， 是时间ｔ＝０时的陷入陷阱的电荷 密度， 是热比率，ｋ－ 是波尔兹曼常数，￡是动力学级数。Ｅ 和 ｏ是描述激活中心产生的陷阱的物理特性的重要参量。 成余辉。通常来讲，基质中的陷阱能级深度必须适当，对于 较浅的陷阱能级，室温下易受热扰动的影响，从而使得陷阱 中的电子很容易从其中逃逸出来，余辉时间相对较短；而对 于深的陷阱能级中的电子，由于其在室温下受热扰动的影响 较小，从而使得深陷阱能级中的电子在室温下的逃逸速率很 而当忽略Ｓ对Ｔ （热释光谱峰值对应的温度值，单位为Ｋ）的 影响，并假设电子逃逸陷阱的频率为１／ｓ，则我们可以利用 公式 ］ 慢且数量很少，当对样品进行升温，深陷阱中的电子逃逸的 速率和数量都会增大，这种预先被激发的磷光体，借助于热 扰动从而使陷阱中的电子获释并与样品中的空穴复合而发 光，即为热释光。由此可知，对于陷阱能级的研究最直观有 效的方法就是测试其热释光谱。 将样品置于日光灯下激发４ ｍｉｎ，接着将样品在室温下 放人热释光测量仪，按１ Ｋ・Ｓ一 的升温速率升温至５９８ Ｋ进 行测量，图４为所测得的热释光谱。 ３ｏｏ ４００ ５００ ６００ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ／Ｋ Ｆｉｇ．４ ｎｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ｇｌｏｗ ｃｕｒｖｅ 图４中的热释光谱表明，在晶格中，Ｅｕ 不仅是发光中 心，而且Ｅｕ。 的掺杂也能够在禁带中引入陷阱能级从而使 材料有一定的余辉。样品在２９３～５９８ Ｋ的范围内拥有４个 热释光峰，峰位所对应的温度分别为：３４６，４２０，４５７和５５２ Ｋ，这和文献［７］所报道一致。由于热释光峰和陷阱能级相对 应，可知所制得的样品有４种陷阱能级，同时我们将样品的 热释光峰按峰位温度由低到高分别对其进行标注为Ｐ１，Ｐ２， Ｐ３和Ｐ４。图中Ｐ１对应的强度很强，说明相对应的陷阱能 级中所含有的电子数量大，而当陷阱所对应的温度为３３３～ ３８３ Ｋ时，此时陷阱中所释放出来的电子在与基质中的空穴 复合同时发出光，为室温下所见的余辉ｌ Ｉ，所以室温下对样 品的余辉起主要贡献的是所对应温度偏低的陷阱能级，而随 着温度的升高深陷阱能级中的电子受到热扰动的影响增大， 从而电子从陷阱中逃逸出且与空穴复合，并产生余辉。 基于对热释光性质的更深认识，我们计算了陷阱能级的 深度，陷阱能级深度可以通过对热释光谱拟合得到，拟合的 公式如下 ］ Ｅ— ／５００ （３） 对陷阱的深度大小进行计算，式中的Ｅｔ指的是陷阱能级深 度，单位为ｅＶ。计算所得的结果列于表ｌ中。 由此可知，在室温下对余辉起主要作用的是浅陷阱能 级，表１中的陷阱深度为０．６９４ ｅＶ陷阱能级在室温下对长 余辉起主要贡献。 Ｔａｂｌｅ １ Ｐｅａｋ ｏｆ ｔｈｅ ｔｈｅｒｍｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ａｎｄ ｔｒａｐ ｄｅｐｔｈ 热释光峰丁．ｍ／Ｋ 陷阱深度Ｅ／ｅＶ ３４６．８ ０．６９４ ４２０．３ ０．８４１ ４５７．２ ０．９１４ ５５２．５ １．１Ｏ５ 然而在实验过程中我们发现等待时间会射热释光有影 响。样品在相同的激发条件下，随着等待时间的增加样品的 热释光发生了变化。为此我们对等量的样品进行４ ｍｉｎ的日 光灯激发，然后分别在黑暗的环境下等待ＴＩ一３ ｍｉｎ， 一 １５ ｍｉｎ， 一６０ ｍｉｎ，Ｔ４—１８０ ｍｉｎ和 一６００ ｍｉｎ，接着测 试其热释光谱（测试条件和上面热释光测试条件一致），并作 出热释光谱图，如图５所示。 八、一 ｆｂ）：——１５ ｍｉｒ 八／＾ ／＼ 八／＾＼（ｃ）：－－６０ 一 。。 ’ｆｄ）：——ｌ８ｄｍｉ１ ＼、八 ３００ ４００ ５００ ６００ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ／Ｋ Ｆｉｇ．５ Ｔｈｅｒｍｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｏｏｗ ｃＨｒｖ￣ ｗｉｔｈ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｗａｉｔｔｉｎｇｔｉｍｅｓ “：３ ｒａｉｎ；ｂ：１０ ｍｉｎ；Ｃ：６０ ｍｉｎ；ｄ：１８０ ｒａｉｎ；ｅ：６００ ｒａｉｎ 图５中，我们发现样品的热释光强度和峰位随着等待时 ３２２６ 光谱学与光谱分析 第３１卷 间的增加呈现出不同的变化趋势，Ｐ１的强度随着等待时间 的增加逐渐减小，Ｐ２的强度开始的时候表现为逐渐减小，然 而当等待时间为１８０ ｒａｉｎ强度却增加。Ｐ３的变化规律和峰 Ｐ１相似，Ｐ４的变化规律则是和Ｐ２的变化规律相似。 从图５中我们可以发现热释光峰的峰位有了一定的变 化，同时由于峰面积代表的是强度，为了更好的对热释光进 行分析，我们对图５中３个比较明显的峰（Ｐ１，Ｐ２和Ｐ４）进 行了多峰拟合，并将结果显示在图６和表２中。 ～：二 １ ６：Ｐ２ ／—＼． Ｐ１． ． ０ １００ ２００ ３００ ４００ ５００ ６００ Ｔｉｍｅ／ｍｉｎ Ｆｉｇ．６ Ｔｈｅ ｉｎｔｅｇｒａｌ ｏｆ ｄｅｃａｙ ａｇａｉｎｓｔ ｔｉｍｅ Ｔａｂｌｅ ２ Ｐｅａｋ ｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｃｈａｎｇｅ ａｇａｉｎｓｔ ｔｉｍｅ …／ ｍｌｒｌ 峰Ｐｅａｋ １对应 温度／Ｋ 峰ｐｅａｋ ２对应 温度／Ｋ 峰ｐｅａｋ４对应 温度／Ｋ ３ ３４４ ４２０ ５５１ １５ ３４９ ４１６ ５４８ ６Ｏ ３５５ ４１３ ５４０ ｌ８Ｏ ５４３ ４０８ ６００ ４０７ ５４１ 在图６中，曲线分别代表不同热释光峰的峰面积随时问 的衰减规律，由图可知，Ｐ１峰的面积变化规律符合双指数衰 减规律。而其他两个峰的面积变化则是先减小后增加再减 少。 我们认为上述实验结果是由于在陷阱能级中电子的释放 以及陷阱能级间电子转移导致的。对于Ｐ１，对应浅陷阱能 级，而浅陷阱能级中的电子在室温下易受热扰动的影响，因 此有持续不断的电子从陷阱中逃逸出来，直至陷阱变为空陷 阱，此时陷阱能级在热释光谱上表现为峰的面积逐渐减小， 直至峰面积变为零，峰消失。而对于其他两个热释光峰的变 化趋势：虽然深陷阱能级在室温下受到热扰动的影响较小， 但是同时亦有部分电子从深陷阱能级中逃逸出来，从而热释 光表现为开始时的峰面积减少，而随着等待时间的推移，浅 陷阱能级释放出大量的电子，相当一部分浅陷阱能级所释放 的电子填充至深的陷阱能级，同时，深陷阱能级由于热扰动 的作用也释放出少量的电子，而从浅陷阱能级跃迁至深陷阱 能级的电子填充速率大于深陷阱能级的电子逸出速率，此时 的热释光峰的面积增大，随着等待时间的继续增加，浅陷阱 能级中的电子不断减少，逃逸的电子数越来越少，此时从深 陷阱能级中逃逸出来的电子速率大于浅陷阱能级电子对其的 填充速率，所以表现为热释光峰面积的减小。 从表２中我们发现，随着等待时间的增加，热释光峰位 呈现出不同的变化趋势。Ｐｌ的峰位随着等待时间的增加往 高温方向偏移，而Ｐ２和Ｐ４的峰位却大致往低温方向偏移。 为了解释这种现象，我们引入了缺陷能带并结合位形坐标模 型Ⅲ】 ，如图７所示。 Ｆｉｇ．７ Ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ ｍｏｄｅｌ ｏｆ ｔｈｅ ｌｏｎｇ ａｆｔｅｒｇｌｏｗ 图７中Ａ是Ｅｕ 的基态，Ｂ是Ｅｕ 的激发态，Ｃ是缺 陷能级，Ｄ是陷阱能级中的缺陷能带。在外光源的作用下， 电子受激发从基态跃迁至激发态（１）。一部分电子跃迂回低 能级产生发光（２）。另一部分电子通过驰豫过程储存在缺陷 能级Ｃ中的缺陷能带Ｄ上。 对于Ｐ１峰位的偏移，这是由于浅陷阱能级在室温下容 易受热扰动的影响，从而使得电子容易从浅陷阱能级中逃逸 出来，同时缺陷能带带顶（即缺陷能带Ｄ的顶部）一卜的电子相 对于带底（即缺陷能带Ｄ的底部）上的电子更易受热扰动的 影响，更容易获释。当等待时间较少时，带顶上的电子逃逸 的数量大于带底上电子的逃逸数量，因此表现为热释光峰峰 位的温度相对偏低。而随着等待时间的增加，由于带顶上的 大部分电子已经逃逸出了陷阱能级，而带底上的电子则逃逸 出来的较少，因此，当对样品进行升温时，此时带底上的电 子逃逸出来的量大于带顶上逃逸出来的量，从而在热释光峰 上表现为峰位往高温方向偏移。对于其他热释光峰峰位往低 温方向偏移，这可能是由于随着等待时间的增加，浅陷阱能 级中的电子在逃逸过程中被深的陷阱能级所俘获，而又因为 陷阱能级中的缺陷能带存在，逃逸出来的电子首先被缺陷能 带上的带顶所捕获，从而使得带顶上的电子数量增加，而随 着温度的逐渐升高，样品受到的热扰动增强，此时带顶上的 电子也先逃逸出陷阱能级且逃逸数量大于从带底上的电子， 从而在热释光上表现为峰位温度相对较低。因此对于深陷阱 能级的热释光是随着等待时间的增加，峰位往低温方向偏 移。 第１２期 光谱学与光谱分析 ３２２７ ４ ５ｄ ４ｆ能级跃迁所致。样品具有黄色长余辉现象，并对 ３结论 长余辉特性进行了分析，分析表明余辉的衰减符合双指数衰 减规律。重点研究了热释光，对样品进行了热释光的测试， 采用高温固相法，在弱还原气氛下制备了ａ 一 热释光谱表明有４个热释光峰，对应四个陷阱能级。研究了 Ｓｒ ７Ｓｉ０４：Ｅｕｏ．ｏ３样品，该样品保持了“ｆ＿Ｓｒ２ＳｉＯ４的斜方晶 在相同激发条件下，随着等待时间的增加，陷阱能级深度所 系结构，掺入的稀土离子完全进入了晶格之中，且对ａ 一 表现出来的变化，并用陷阱能级间电子转移和陷阱能级中的 ＳｒｚＳｉ（）４没有明显影响。样品的光致发光测量表明：样品的 缺陷能带理论进行了分析。 激发和发射谱都为带状谱，均以Ｅｕ。 为发光中心，由电子的 Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅｓ ［１］ Ｘｕ Ｘ Ｈ，Ｗａｎｇ Ｙ Ｈ，ｅｔ ａ１．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，２００９，１０５（８）：０８３５０２． ［２］ Ｗｕ Ｈ Ｙ，Ｈｕ Ｙ Ｈ，Ｗａｎｇ Ｙ Ｈ，ｅｔ ａ１．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｌｌｏｙｓ ａｎｄ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ，２０１０，４９７（１—２）：３３０ ［３］ Ｐａｒｋ Ｊ Ｋ，Ｌｉｍ Ｍ Ａ，ｅｔ ａ１．Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，２００３，８２（５）：６８３． ［４］ ＸＩＥ ｗｅｉ，ＷＡＮＧ Ｙｉｎ－ｈａｉ，ＨＵ Ｙｉ—ｈｕａ，ｅｔ ａ１（谢伟，王银海，胡义华，等）．Ａｃｔａ Ｐｈｙｓｉｃａ Ｓｉｎｉｃａ（物理学报），２０１０，５９（２）：１１４８ ［５］ Ｌａｋｓｈｍｉｎａｒａｓｉｍｈａｎ Ｎ，Ｖａｒａｄａｒ￣ｕ Ｕ Ｖ．Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ，２００８，４３（１１）：２９４６． ［６］ Ｂａｒｒｙ Ｔ Ｉ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａ１ Ｃｈｅｍ．，１９６８，１１５（１１）：１１８１． ［７］ Ｓｕｎ Ｘ Ｙ，Ｚｈａｎｇ Ｊ Ｈ，ｅｔ ａ１．Ｊｏｕｒｎａ１ ｏｆ Ｒａｒｅ Ｅａｒｔｈｓ Ｃｈｅｍ．，２００８，２６（３）：４２１． ［８］ Ｂａｃｃｅ Ｅ Ｄ，Ｐｉｒｅｓ Ａ Ｍ，ｅｔ ａ１．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｌｌｏｙｓ ａｎｄ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ，２００２，３４４（１－２）：３１２． ［９］ Ｋｉｍ Ｊ Ｓ，Ｐａｒｋ Ｙ Ｈ，ｅｔ ａ１．Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，２００５，１３３（７）：４４５． Ｅｌ０］ Ｋｉｍ Ｊ Ｓ，Ｊｅｏｎ Ｐ Ｅ，ｅｔ ａ１．Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，２００５，１３３（３）：１８７． Ｅｌ１］ Ｎａｇ Ａ，Ｋｕｔｔｙ Ｔ Ｒ Ｎ．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，２００４，１４（１Ｏ）：１５９８． ［１２］ Ｎａｇ Ａ，Ｋｕｔｔｙ Ｔ Ｒ Ｎ．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｌｌｏｙｓ ａｎｄ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ，２００３，３５４（１—２）：２２１． ［１３］ Ａｉｔａｓａｌｏ Ｔ，Ｈ６１ｓａ Ｊ，ｅｔ ａ１．Ｒａｄｉａｔｉｏｎ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ，２００４，３８（４—６）：７２７． Ｅ１４］ Ｄｏｒｅｎｂｏｓ Ｐ．Ｊｏｕｒｎａ１ ｏｆ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ，２００３，１０４（４）：２３９． ［１５２ Ｓｈａｌｇａｏｎｋａｒ Ｃ Ｓ，Ｎａｒｌｉｋａｒ Ａ Ｖ．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ，１９７２，７（１２）：１４６５． ［１６］ Ｑｉｕ Ｊ，Ｈｉｒａｏ Ｋ．Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，１９９８，１０６（１２）：７９５． Ｔｈｅｒｍｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｓｔｕｄｙ ｏｎ Ｓｒ２ＳｉＯ４ Ｌｏｎｇ Ａｆｔｅｒｇｌｏｗ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｄｏｐｅｄ ｗｉｔｈ Ｅｕ２＋ ＰＥＮＧ Ｔｉｅ－ｑｉｕ，ＷＡＮＧ Ｙｉｎ－ｈａｉ ，ＬＩ Ｙａ，ＸＩＯＮＧ Ｙｉ Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ ａｎｄ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｇｕａｎｇｄｏｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｇｕａｎｇｚｈｏｕ ５１０００６，Ｃｈｉｎａ Ａｂｓｔｒａｃｔ Ｓｒ１．９７ Ｓｉ０４：Ｅ 十３ ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ ｗｅｒｅ ｓｙｎｔｈｅｓｉｚｅｄ ｔｈｒｏｕｇｈ ｔｈｅ ｓｏｌｉｄ－ｓｔａｔｅ ｒｅａｃｔｉｏｎ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ．Ｔｈｅ Ｘ－ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ ｓｈｏｗｓ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｐｈａｓｅ ｏｆ ｔｈｅ ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ ｉｓ ｏｒｔｈｏｒｈｏｍｂｉｃ ａ 一Ｓｒ２ ＳｉＯ４．Ｔｈｅ ｐｒｏｄｕｃｅｄ ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ ｓｈｏｗ ｏｎｅ ｉｎｔｅｎｓｅ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｂａｎｄ ｌｏｃａｔｅｄ ａｔ ４９０ ｎｍ．Ｔｈｅ ｐｈｏｓｐｈｏｒ ｓｈｏｗｓ ａ ｌｏｎｇ ａｆｔｅｒｇｌｏｗ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｅｘｃｉｔｅｄ ｂｙ ｔｈｅ ｓｕｎｌｉｇｈｔ．Ｔｈｅ ｄｅｃａｙ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｓｈｏｗ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｐｈｏｓ— ｐｈｏｒｓ ｃｏｎｓｉｓｔ ｏｆ ａ ｑｕｉｃｋ ｄｅｃａｙ ｐｒｏｃｅｓｓ ａｎｄ ａ ｓｌｏｗ ｄｅｃａｙ ｐｒｏｃｅｓｓ．Ｔｈｅ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ ｒｅｓｕｌｔｓ ｄｅｍｏｎｓｔｒａｔｅ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｔｈｅｒｍｏｌｕｍｉｎｅｓ— ｃｅｎｃｅ（ＴＬ）ｃｕｒｖｅｓ ｏｆ ｔｈｅ ｓａｍｐｌｅｓ ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ ｆｏｕｒ ｐｅａｋｓ，ｌｏｃａｔｅｄ ａｔ ３４６，４２０，４５７ ａｎｄ ５５２ Ｋ，ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ．Ｍｅａｎｗｈｉｌｅ，ｔｈｅ ｄｉｆ— ｆｅｒｅｎｔ ｐｅａｋｓ ｓｈｏｗ ｔｈｅ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｄｅｃａｙ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ，ａｎｄ ｔｈｅ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｆｅｒ ｂｅｔｗｅｅｎ ｔｈｅ ｔｒａｐ ｌｅｖｅｌｓ ｗａｓ ｍｅａｓｕｒｅｄ． Ｋｅｙｗｏｒｄｓ Ｌｏｎｇ ａｆｔｅｒｇｌｏｗ；Ｔｈｅｒｍｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ；Ｓｒｚ Ｓｉ０４ Ｈｉｇｈ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｓｏｌｉｄ ｓｔａｔｅ ｒｅａｃｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ；Ｔｒａｐｓ （Ｒｅｃｅｉｖｅｄ Ｍａｒ．５，２０１１；ａｃｃｅｐｔｅｄ Ｊｕｎ．２８，２０１１） ＊Ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ａｕｔｈｏｒ
