一种带复合绝缘层的金属基薄膜传感器及其制备方法[发明专利]

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专利名称：一种带复合绝缘层的金属基薄膜传感器及其制备方

法

专利类型：发明专利

发明人：赵晓辉,王亦然,杨柯,蒋书文,蒋洪川,熊杰,张万里申请号：CN201510104153.5申请日：20150310公开号：CN104726862A公开日：20150624

摘要：本发明提出了一种带复合绝缘层的金属基薄膜传感器及其制备方法，属于薄膜传感器的设计及制备技术领域。所述带复合绝缘层的金属基薄膜传感器从下往上依次为合金基板、NiCrAlY合金过渡层、AlO热生长层、非晶YAlO过渡层、AlO绝缘层、薄膜传感器功能层、AlO保护层，其中，非晶YAlO过渡层为氧化钇和氧化铝组成的非晶YAlO薄膜，氧化钇与氧化铝的摩尔比为1：(1～20)。本发明的非晶YAlO过渡层能改善薄膜传感器绝缘层的附着力和绝缘性能，降低器件的失效几率，为薄膜传感器在高温恶劣的环境中工作提供了更高的可靠性。

申请人：电子科技大学,东莞电子科技大学电子信息工程研究院

地址：611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

国籍：CN

代理机构：电子科技大学专利中心

代理人：李明光

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