专利名称：CMP用浆料、抛光方法和半导体器件的制造方法专利类型：发明专利
发明人：南幅学,松井之辉,矢野博之申请号：CN200410038315.1申请日：20040514公开号：CN1551304A公开日：20041201
摘要：本发明涉及CMP用浆料、抛光方法和半导体器件的制造方法。本发明公开了一种CMP浆料，其包含复合型颗粒和树脂颗粒，其中复合型颗粒含有复合化的树脂成分和无机成分，所述CMP浆料具有小于10MPaS的粘度。
申请人：株式会社东芝
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京市中咨律师事务所
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