（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201711213674.X （22）申请日 2017.11.28
（71）申请人 四川高铭科技有限公司
地址 625000 四川省雅安市名山经济开发区
（10）申请公布号 CN109834859A
（43）申请公布日 2019.06.04
（72）发明人 韩勇 （74）专利代理机构
代理人
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
太阳能级6寸单晶硅片切割工艺方法
（57）摘要
本发明提供一种太阳能级6寸单晶硅片切
割工艺方法，具体包括粘棒工艺：首先清洁单晶硅棒粘接面，然后用胶水分别粘接定位条和玻璃、玻璃和单晶硅棒，粘棒之后要进行压棒，压好后继续粘接下一套棒；配浆工艺：a.配浆之前要把所需配的碳化硅微粉放入烘箱烘烤，温度设定在70～80℃，在配浆前取出冷却；b.配置浆料的时候，将碳化硅微粉慢慢倒入砂浆搅拌桶，一般控制在3min左右一袋，并充分搅拌均匀；线切
割工艺：镀铜切割线的直径为0.1mm，并且线速度在9.3～10.5m/s，工件的进给速度不超过0.3mm/s，砂浆的流量不超过3100L/h。本工艺可以使切割硅片中心厚度达到180mm，每公斤出片率可以提高到78.4片/kg，如采用传统切割方法，出片率最高达到75.9片/kg，采用本工艺方法后出片率将提高3.3％。
法律状态
法律状态公告日
2019-06-04
法律状态信息
公开
法律状态
公开
权利要求说明书
太阳能级6寸单晶硅片切割工艺方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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