(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 106951701 A(43)申请公布日 2017.07.14
(21)申请号 201710153271.4(22)申请日 2017.03.15
(71)申请人 珠海全志科技股份有限公司
地址 519080 广东省珠海市高新区唐家湾
镇科技二路9号(72)发明人 宋荆汉 赵世伟
(74)专利代理机构 广州华进联合专利商标代理
有限公司 44224
代理人 郑小粤 李双皓(51)Int.Cl.
G06F 19/00(2011.01)
权利要求书3页 说明书8页 附图2页
(54)发明名称
NAND FLASH使用寿命的计算方法及系统(57)摘要
本发明提供一种NAND FLASH使用寿命的计算方法及系统。其中方法包括：获取NAND FLASH的测试参数及NAND FLASH的擦写次数初始值；根据测试参数对所述NAND FLASH进行测试，并获得每次测试后NAND FLASH的擦写次数当前值；根据擦写次数初始值和擦写次数当前值获得每次测试NAND FLASH时对应的擦写次数净增长值；提取测试参数中的测试次序信息，对测试次序信息和擦写次数净增长值进行分析，得到二者之间的对应关系，并根据对应关系计算出NAND FLASH的使用寿命。其能估算出NAND FLASH的使用寿命，解决了传统技术中难以对NAND FLASH的使用寿命进行估算的问题。
CN 106951701 ACN 106951701 A
权 利 要 求 书
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1.一种NAND FLASH使用寿命的计算方法，其特征在于，所述方法包括：获取NAND FLASH的测试参数及NAND FLASH的擦写次数初始值；根据所述测试参数对所述NAND FLASH进行测试，并获得每次测试后所述NAND FLASH的擦写次数当前值；
根据所述擦写次数初始值和所述擦写次数当前值获得每次测试NAND FLASH时对应的擦写次数净增长值；
提取所述测试参数中的测试次序信息，对所述测试次序信息和所述擦写次数净增长值进行分析，得到二者之间的对应关系，并根据所述对应关系计算出所述NAND FLASH的使用寿命。
2.根据权利要求1所述的NAND FLASH使用寿命的计算方法，其特征在于，所述根据所述擦写次数初始值和所述擦写次数当前值获得每次测试NAND FLASH时对应的擦写次数净增长值的步骤包括：
获取每次测试所述NAND FLASH时所述NAND FLASH中预设的各个数据块对应的块擦写次数净增长值；
根据所述块擦写次数净增长值获得每次测试所述NAND FLASH时对应的所述擦写次数净增长值。
3.根据权利要求2所述的NAND FLASH使用寿命的计算方法，其特征在于，所述根据所述块擦写次数净增长值获得每次测试所述NAND FLASH时对应的所述擦写次数净增长值的步骤包括：
每次测试NAND FLASH后，将所述NAND FLASH中各个所述数据块对应的块擦写次数净增长值进行降序排序，得到排序后的块擦写次数净增长值；
由所述排序后的块擦写次数净增长值中获取排序在前预设数量的第一块擦写次数净增长值；
对预设数量的所述第一块擦写次数净增长值进行均值运算，得到每次测试NAND FLASH时对应的擦写次数净增长值。
4.根据权利要求1所述的NAND FLASH使用寿命的计算方法，其特征在于，所述提取所述测试参数中的测试次序信息，对所述测试次序信息和所述擦写次数净增长值进行分析，得到二者之间的对应关系的步骤包括：
由所述测试参数中提取所述测试次序信息，并根据所述测试次序信息和所述擦写次数净增长值计算出所述测试次序信息和所述擦写次数净增长值的拟合判定系数；
根据所述拟合判定系数判断是否能够得到所述测试次序信息和所述擦写次数净增长值之间的线性回归方程；
若是，则根据测试次序信息和所述擦写次数净增长值计算所述线性回归方程的回归系数估算值，并由所述回归系数估算值求得所述线性回归方程；
若否，则根据测试NAND FLASH时得到的擦写次数净增长值的实际测试值和估计值计算残差，根据残差判定离群点，并将离群点去除后，根据测试次序信息和所述擦写次数净增长值计算所述线性回归方程的回归系数估算值，由所述回归系数估算值求得所述线性回归方程。
5.根据权利要求4所述的NAND FLASH使用寿命的计算方法，其特征在于，所述根据所述
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权 利 要 求 书
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对应关系计算出所述NAND FLASH的使用寿命的步骤包括：
获取所述NAND FLASH的预设标称值；
利用所述预设标称值以及所述线性回归方程计算出所述NAND FLASH的使用寿命。6.一种NAND FLASH使用寿命的计算系统，其特征在于，所述系统包括：第一获取模块，用于获取NAND FLASH的测试参数及NAND FLASH的擦写次数初始值；测试获取模块，用于根据所述测试参数对所述NAND FLASH进行测试，并获得测试后的NAND FLASH的擦写次数当前值；
第二获取模块，用于根据所述擦写次数初始值和所述擦写次数当前值获得每次测试NAND FLASH时对应的擦写次数净增长值；
分析计算模块，用于提取所述测试参数中的测试次序信息，对所述测试次序信息和所述擦写次数净增长值进行分析，得到二者之间的对应关系，并根据所述对应关系计算出所述NAND FLASH的使用寿命。
7.根据权利要求6所述的NAND FLASH使用寿命的计算系统，其特征在于，所述第二获取模块包括：
第一获取单元，用于获取每次测试所述NAND FLASH时所述NAND FLASH中预设的各个数据块对应的块擦写次数净增长值；
第二获取单元，用于根据所述块擦写次数净增长值获得每次测试所述NAND FLASH时对应的所述擦写次数净增长值。
8.根据权利要求7所述的NAND FLASH使用寿命的计算系统，其特征在于，所述第一获取单元包括：
排序子单元，用于每次测试NAND FLASH后，将所述NAND FLASH中各个所述数据块对应的块擦写次数净增长值进行降序排序，得到排序后的块擦写次数净增长值；
获取子单元，用于由所述排序后的块擦写次数净增长值中获取排序在前预设数量的第一块擦写次数净增长值；
运算子单元，用于对预设数量的所述第一块擦写次数净增长值进行均值运算，得到每次测试NAND FLASH时对应的擦写次数净增长值。
9.根据权利要求6所述的NAND FLASH使用寿命的计算系统，其特征在于，所述分析计算模块包括：
第一计算单元，用于由所述测试参数中提取所述测试次序信息，并根据所述测试次序信息和所述擦写次数净增长值计算出所述测试次序信息和所述擦写次数净增长值的拟合判定系数；
判断单元，用于根据所述拟合判定系数判断是否能够得到所述测试次序信息和所述擦写次数净增长值之间的线性回归方程；若是，则根据测试次序信息和所述擦写次数净增长值计算所述线性回归方程的回归系数估算值，并由所述回归系数估算值求得所述线性回归方程；若否，则根据测试NAND FLASH时得到的擦写次数净增长值的实际测试值和估计值计算残差，根据残差判定离群点，并将离群点去除后，根据测试次序信息和所述擦写次数净增长值计算所述线性回归方程的回归系数估算值，由所述回归系数估算值求得所述线性回归方程。
10.根据权利要求9所述的NAND FLASH使用寿命的计算系统，其特征在于，所述分析计
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算模块还包括：
第三获取单元，用于获取所述NAND FLASH的预设标称值；第二计算单元，用于利用所述预设标称值以及所述线性回归方程计算出所述NAND FLASH的使用寿命。
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说 明 书
NAND FLASH使用寿命的计算方法及系统
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技术领域
[0001]本发明涉及闪存技术领域，特别是涉及NAND FLASH使用寿命的计算方法及系统。背景技术[0002]NAND FLASH虽有自身的物理寿命，由于FLASH的固有特性，如：按页读写、按环读写、写操作之前需要对FLASH的块进行擦除等特性，因此FLASH的实际使用寿命即为块的擦写次数，但实际读写时并不能按最理想的擦写次数来估算FLASH的实际使用寿命，需要使用不同的磨损平衡算法来平衡各个数据块的擦除次数，而且由于各种使用场景的不同，写入的数据量及写入数据的大小不同，很难对NAND FLASH的使用寿命进行估算。发明内容[0003]基于此，有必要针对传统技术很难对NAND FLASH的使用寿命进行估算的问题，提供一种能够估算NAND FLASH使用寿命的NAND FLASH使用寿命的计算方法及系统。[0004]为达到发明目的，提供一种NAND FLASH使用寿命的计算方法，所述方法包括：[0005]获取NAND FLASH的测试参数及NAND FLASH的擦写次数初始值；[0006]根据所述测试参数对所述NAND FLASH进行测试，并获得每次测试后所述NAND FLASH的擦写次数当前值；[0007]根据所述擦写次数初始值和所述擦写次数当前值获得每次测试NAND FLASH时对应的擦写次数净增长值；[0008]提取所述测试参数中的测试次序信息，对所述测试次序信息和所述擦写次数净增长值进行分析，得到二者之间的对应关系，并根据所述对应关系计算出所述NAND FLASH的使用寿命。[0009]在其中一个实施例中，所述根据所述擦写次数初始值和所述擦写次数当前值获得每次测试NAND FLASH时对应的擦写次数净增长值的步骤包括：[0010]获取每次测试所述NAND FLASH时所述NAND FLASH中预设的各个数据块对应的块擦写次数净增长值；[0011]根据所述块擦写次数净增长值获得每次测试所述NAND FLASH时对应的所述擦写次数净增长值。[0012]在其中一个实施例中，所述根据所述块擦写次数净增长值获得每次测试所述NAND FLASH时对应的所述擦写次数净增长值的步骤包括：[0013]每次测试NAND FLASH后，将所述NAND FLASH中各个所述数据块对应的块擦写次数净增长值进行降序排序，得到排序后的块擦写次数净增长值；[0014]由所述排序后的块擦写次数净增长值中获取排序在前预设数量的第一块擦写次数净增长值；[0015]对预设数量的所述第一块擦写次数净增长值进行均值运算，得到每次测试NAND FLASH时对应的擦写次数净增长值。
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说 明 书
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在其中一个实施例中，所述提取所述测试参数中的测试次序信息，对所述测试次
序信息和所述擦写次数净增长值进行分析，得到二者之间的对应关系的步骤包括：[0017]由所述测试参数中提取所述测试次序信息，并根据所述测试次序信息和所述擦写次数净增长值计算出所述测试次序信息和所述擦写次数净增长值的拟合判定系数；[0018]根据所述拟合判定系数判断是否能够得到所述测试次序信息和所述擦写次数净增长值之间的线性回归方程；[0019]若是，则根据测试次序信息和所述擦写次数净增长值计算所述线性回归方程的回归系数估算值，并由所述回归系数估算值求得所述线性回归方程；[0020]若否，则根据测试NAND FLASH时得到的擦写次数净增长值的实际测试值和估计值计算残差，根据残差判定离群点，并将离群点去除后，根据测试次序信息和所述擦写次数净增长值计算所述线性回归方程的回归系数估算值，由所述回归系数估算值求得所述线性回归方程。[0021]在其中一个实施例中，所述根据所述对应关系计算出所述NAND FLASH的使用寿命的步骤包括：[0022]获取所述NAND FLASH的预设标称值；[0023]利用所述预设标称值以及所述线性回归方程计算出所述NAND FLASH的使用寿命。[0024]本发明还提供一种NAND FLASH使用寿命的计算系统，所述系统包括：[0025]第一获取模块，用于获取NAND FLASH的测试参数及NAND FLASH的擦写次数初始值；[0026]测试获取模块，用于根据所述测试参数对所述NAND FLASH进行测试，并获得测试后的NAND FLASH的擦写次数当前值；[0027]第二获取模块，用于根据所述擦写次数初始值和所述擦写次数当前值获得每次测试NAND FLASH时对应的擦写次数净增长值；[0028]分析计算模块，用于提取所述测试参数中的测试次序信息，对所述测试次序信息和所述擦写次数净增长值进行分析，得到二者之间的对应关系，并根据所述对应关系计算出所述NAND FLASH的使用寿命。[0029]在其中一个实施例中，所述第二获取模块包括：[0030]第一获取单元，用于获取每次测试所述NAND FLASH时所述NAND FLASH中预设的各个数据块对应的块擦写次数净增长值；[0031]第二获取单元，用于根据所述块擦写次数净增长值获得每次测试所述NAND FLASH时对应的所述擦写次数净增长值。[0032]在其中一个实施例中，所述第一获取单元包括：[0033]排序子单元，用于每次测试NAND FLASH后，将所述NAND FLASH中各个所述数据块对应的块擦写次数净增长值进行降序排序，得到排序后的块擦写次数净增长值；[0034]获取子单元，用于由所述排序后的块擦写次数净增长值中获取排序在前预设数量的第一块擦写次数净增长值；[0035]运算子单元，用于对预设数量的所述第一块擦写次数净增长值进行均值运算，得到每次测试NAND FLASH时对应的擦写次数净增长值。[0036]在其中一个实施例中，所述分析计算模块包括：
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第一计算单元，用于由所述测试参数中提取所述测试次序信息，并根据所述测试
次序信息和所述擦写次数净增长值计算出所述测试次序信息和所述擦写次数净增长值的拟合判定系数；[0038]判断单元，用于根据所述拟合判定系数判断是否能够得到所述测试次序信息和所述擦写次数净增长值之间的线性回归方程；若是，则根据测试次序信息和所述擦写次数净增长值计算所述线性回归方程的回归系数估算值，并由所述回归系数估算值求得所述线性回归方程；若否，则根据测试NAND FLASH时得到的擦写次数净增长值的实际测试值和估计值计算残差，根据残差判定离群点，并将离群点去除后，根据测试次序信息和所述擦写次数净增长值计算所述线性回归方程的回归系数估算值，由所述回归系数估算值求得所述线性回归方程。[0039]在其中一个实施例中，所述分析计算模块还包括：[0040]第三获取单元，用于获取所述NAND FLASH的预设标称值；[0041]第二计算单元，用于利用所述预设标称值以及所述线性回归方程计算出所述NAND FLASH的使用寿命。[0042]本发明的有益效果包括：[0043]上述NAND FLASH使用寿命的计算方法及系统，利用NAND FLASH自身的固有特性并结合NAND FLASH进行写操作时的特性，通过模拟不同的操作场景，获取NAND FLASH测试之前的擦写次数初始值和每次测试NAND FLASH后的擦写次数当前值，根据擦写次数初始值和擦写次数当前值得到每次测试NAND FLASH时的擦写次数净增长值，并通过有限次测试的测试次序信息和擦写次数净增长值得到测试次序信息和擦写次数净增长值之间的对应关系，最后利用测试次序信息和擦写次数净增长值之间的对应关系计算出NAND FLASH的使用寿命，从而克服传统技术中难以对NAND FLASH使用寿命进行估算的问题，且能够实现对NAND FLASH使用寿命的快速估算。
附图说明[0044]图1为一个实施例中的NAND FLASH使用寿命的计算方法的流程示意图；[0045]图2为一个实施例中的测试次序与擦写次数净增长值的散点图的仿真示意图；[0046]图3为一个实施例中的NAND FLASH使用寿命的计算系统的结构示意图。具体实施方式[0047]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例对本发明NAND FLASH使用寿命的计算方法及系统进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。[0048]在一个实施例中，如图1所示，提供了一种NAND FLASH使用寿命的计算方法，该方法包括以下步骤：[0049]S100，获取NAND FLASH的测试参数及NAND FLASH的擦写次数初始值。[0050]S200，根据测试参数对NAND FLASH进行测试，并获得每次测试后NAND FLASH的擦写次数当前值。[0051]S300，根据擦写次数初始值和擦写次数当前值获得每次测试NAND FLASH时对应的
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擦写次数净增长值。[0052]S400，提取测试参数中的测试次序信息，对测试次序信息和擦写次数净增长值进行分析，得到二者之间的对应关系，并根据对应关系计算出NAND FLASH的使用寿命。[0053]本实施例中，由于NAND FLASH自身的固有特性，在对NAND FLASH进行写操作之前需要对NAND FLASH中的数据块进行擦除，因此NAND FLASH的实际使用寿命即为NAND FLASH数据块的擦写次数。结合文件系统读写NAND FLASH的特性，通过模拟不同的操作场景，即由测试者输入不同的测试参数对NAND FLASH进行测试，并通过底层驱动反馈NAND FLASH的真实擦除次数，即每次测试NAND FLASH后的擦写次数当前值，同时在对NAND FLASH测试之前获取NAND FLASH的擦写次数初始值，然后根据擦写次数当前值和擦写次数初始值获得每次测试NAND FLASH时对应的擦写次数净增长值，具体地，将每次测试后得到的NAND FLASH的擦写次数当前值减去擦写次数初始值便可得到每次测试NAND FLASH时对应的擦写次数净增长值，此处之所以要减去NAND FLASH的擦写次数初始值是因为NAND FLASH可能在出厂之前已经做过测试或已经被写操作过，而后续对NAND FLASH的擦写次数及测试次数进行拟合计算时是按照出厂时间为零的基准去评估NAND FLASH的使用寿命的，所以此处将每次测试NAND FLASH得到的擦写次数当前值减去擦写次数初始值能够提高NAND FLASH使用寿命估算的准确性。由测试参数中得到测试次序信息，即测试次数，对NAND FLASH的擦写次数净增长值及测试次序信息进行分析，得到二者的对应关系，此处为利用最小二乘原理得到的线性回归方程，最后根据二者的对应关系计算出NAND FLASH的使用寿命，从而克服传统技术中很难对NAND FLASH使用寿命进行估算的问题，在根据二者的对应关系计算NAND FLASH的使用寿命时，将NAND FLASH生产厂商标定的可擦写次数-即预设标称值代入擦写次数净增长值及测试次序信息的对应关系中，从而能够实现对NAND FLASH使用寿命的快速估算。[0054]需要说明的是，测试参数包括写操作方式、数据量、数据包大写及测试次序信息。其中，文件系统对NAND FLASH进行写操作方式包括顺序写和随机写，顺序写即以顺序方式对NAND FLASH进行写操作；随机写即随机产生读写位置，以覆写方式对NAND FLASH进行写操作。[0055]在一个实施例中，参见图2，步骤S300包括：[0056]S310，获取每次测试NAND FLASH时NAND FLASH中预设的各个数据块对应的块擦写次数净增长值。[0057]S320，根据块擦写次数净增长值获得每次测试NAND FLASH时对应的擦写次数净增长值。[0058]NAND FLASH是以数据块为基本单位进行读写操作的，NAND FLASH在出厂时预先划分为多个数据块，在对NAND FLASH进行写操作时，实际上是对NAND FLASH中的各个数据块进行擦写操作，而在每次测试NAND FLASH时，NAND FLASH中的各个数据块对应的块擦写次数净增长值可能有不同的块擦写次数净增长值，因此取某个数据块的块擦写次数净增长值显然不能有效地表示NAND FLASH的擦写次数净增长值，为了有效地表示NAND FLASH的擦写次数净增长值，可将各个数据块对应的块擦写次数净增长进行均值运算，如：进行算术平均值运算，从而得到比较有效表示NAND FLASH的擦写次数净增长值。[0059]此处需要说明的是，NAND FLASH的写操作次数越多，其对应的擦写次数净增长值也越大，因此，在测试NAND FLASH的使用寿命时，对NAND FLASH的测试次数越多，最后估算
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出的NAND FLASH的使用寿命与实际使用寿命越接近，但同时对NAND FLASH的测试次数越多，也会降低NAND FLASH的使用寿命。[0060]优选地，在一个实施例中，步骤S320包括：[0061]S321，每次测试NAND FLASH后，将NAND FLASH中各个数据块对应的块擦写次数净增长值进行降序排序，得到排序后的块擦写次数净增长值。[0062]S320，由排序后的块擦写次数净增长值中获取排序在前预设数量的第一块擦写次数净增长值。[0063]S330，对预设数量的第一块擦写次数净增长值进行均值运算，得到每次测试NAND FLASH时对应的擦写次数净增长值。[0064]在NAND FLASH的实际使用过程中，NAND FLASH的使用寿命通常与NAND FLASH中擦写次数最多的数据块相关，例如：当某个数据块的擦写次数达到该NAND FLASH的最大擦写次数时，该NAND FLASH便失效。而仅仅将擦写次数最多的数据块的块擦写次数净增长值作为NAND FLASH的擦写次数净增长值又有一定的偶然性。本实施例中将NAND FLASH中各个数据块对应的块擦写次数净增长值进行降序排序，并将排序在前预设数量的第一块擦写次数净增长值进行均值运算，即将擦写次数最多的前预设数量的数据块对应的块擦写次数净增长值进行均值运算，例如：将NAND FLASH中所有数据块中擦写次数最多的前20％(第一块擦写次数净增长值对应的数据块的数量占所有数据块的数量的百分比)的数据块对应的块擦写次数净增长值进行均值运算，得到NAND FLASH的擦写次数合理均值，将其作为NAND FLASH的擦写次数净增长值，一方面能够降低计算NAND FLASH中所有数据块对应的块擦写次数净增长值的均值的复杂度，且能够提高对NAND FLASH使用寿命估算的准确性(擦写次数多的数据块更能反映NAND FLASH的实际使用寿命)，另一方面还能克服只以某一数据块的块擦写次数净增长值作为NAND FLASH的擦写次数净增长值时偶然性的缺陷。由上述方式，依次得到每次测试NAND FLASH时对应的擦写次数净增长值。[0065]在一个实施例中，步骤S400包括：[0066]S410，由测试参数中提取测试次序信息，并根据测试次序信息和擦写次数净增长值计算出测试次序信息和擦写次数净增长值的拟合判定系数。[0067]S420，根据拟合判定系数判断是否能够得到测试次序信息和擦写次数净增长值之间的线性回归方程；若是，则执行步骤S421；若否，则执行步骤S422。[0068]S421，根据测试次序信息和擦写次数净增长值计算线性回归方程的回归系数估算值，并由回归系数估算值求得线性回归方程。[0069]S422，根据测试NAND FLASH时得到的擦写次数净增长值的实际测试值和估计值计算残差，根据残差判定离群点，并将离群点去除后，根据测试次序信息和擦写次数净增长值计算线性回归方程的回归系数估算值，由回归系数估算值求得线性回归方程。[0070]由测试参数中提取测试次序信息，如测试次序：x＝[1，2，3，...，n]，将该测试次序作为自变量，该测试次序即为读取底层驱动提供的NAND FLASH的擦写次数的次序，其可以是间隔固定时间得到，因此可换算为使用时间，将每次对NAND FLASH测试时的擦写次数的合理均值作为因变量，即y＝[y1，y2，y3，...,yn]，绘制相应的散点图，如图2所示，观测可知两个变量之间的对应关系，此处可通过计算这两个变量的拟合判定系数R来判断两个变量之间是否能够得到线性回归方程，拟合判定系数R如下：
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拟合判定系数R越趋近于1拟合效果越好，能够较好地得到线性回归方程。
[0073]如果判定二者成线性相关关系，则可进一步得到线程回归方程，在图2所示的实施例中，测试次序与NAND FLASH每次测试时的擦写次数净增长值成一元线性方程，计算线性回归方程的回归系数估算值，则本实施例中计算一元线性方程的斜率估算值和截距估算值，求得线性回归方程为y＝bx+a，其中，b为线程回归方程的斜率，a为线性回归方程的截距。斜率估算值和截距估算值的计算公式如下：
[0072]
[0074]
[0075]其中，为线性回归方程的斜率估算值，为线性回归方程的截距估算值，n为测试
总次数，xi表示任意一个测试次序的数值、yi表示与任意一个测试次序对应的擦写次数净增长值，表示测试次序数值的均值、表示擦写次数净增长值的均值。
[0076]
如果测试次序与NAND FLASH每次测试时的擦写次数净增长值不能得到线性回归
之间的残差，并将残差
方程，即二者的拟合效果不好，则需要计算实际测试值yi与估计值
值超出一定阈值的实际测试值作为离群点去除，然后重新拟合测试次序信息与擦写次数净增长值之间的线性回归方程。[0077]在一个实施例中，步骤S400还包括：[0078]S430，获取NAND FLASH的预设标称值。[0079]S440，利用预设标称值以及线性回归方程计算出NAND FLASH的使用寿命。[0080]获取NAND FLASH的预设标称值，其中，预设标称值为NAND FLASH生产厂商标定的可擦写次数，即默认的可擦写次数，通常为3000次；在利用预设标称值以及线性回归方程计算出NAND FLASH的使用寿命时，根据公式：寿命值＝(预设标称值-a)/b得到，即将默认的可擦写次数带入线性回归方程中得到NAND FLASH的使用寿命。进一步地，为了便于表示NAND FLASH的寿命值，将公式寿命值＝(预设标称值-a)/b/365，得到以年为单位表示的寿命值。其利用最小二乘原理通过有限次测试的测试参数(测试次序和擦写次数净增长值)来拟合出一个线性回归方程，然后根据公式估算出NAND FLASH的使用寿命，能够有效地估算出NAND FLASH的使用寿命，解决了传统技术中难以对NAND FLASH的使用寿命进行估算的问题。[0081]本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的程序可存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，所述的存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(Read-Only Memory，ROM)或随机存储记忆体(Random Access Memory，RAM)等。[0082]在一个实施例中，如图3所示，还提供了一种NAND FLASH使用寿命的计算系统，该
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系统包括：第一获取模块100，用于获取NAND FLASH的测试参数及NAND FLASH的擦写次数初始值。测试获取模块200，用于根据测试参数对NAND FLASH进行测试，并获得测试后的NAND FLASH的擦写次数当前值。第二获取模块300，用于根据擦写次数初始值和擦写次数当前值获得每次测试NAND FLASH时对应的擦写次数净增长值。分析计算模块400，用于提取测试参数中的测试次序信息，对测试次序信息和擦写次数净增长值进行分析，得到二者之间的对应关系，并根据对应关系计算出所述NAND FLASH的使用寿命。[0083]本实施例中的NAND FLASH使用寿命的计算系统，利用NAND FLASH自身的固有特性并结合NAND FLASH进行写操作时的特性，通过模拟不同的操作场景，获取NAND FLASH测试之前的擦写次数初始值和每次测试NAND FLASH后的擦写次数当前值，根据擦写次数初始值和擦写次数当前值得到每次测试NAND FLASH时的擦写次数净增长值，并通过有限次测试的测试次序信息和擦写次数净增长值得到测试次序信息和擦写次数净增长值之间的对应关系，最后利用测试次序信息和擦写次数净增长值之间的对应关系计算出NAND FLASH的使用寿命，从而克服传统技术中难以对NAND FLASH使用寿命进行估算的问题，且能够实现对NAND FLASH使用寿命的快速估算。[0084]在一个实施例中，第二获取模块300包括：第一获取单元310，用于获取每次测试NAND FLASH时NAND FLASH中预设的各个数据块对应的块擦写次数净增长值。第二获取单元320，用于根据块擦写次数净增长值获得每次测试NAND FLASH时对应的擦写次数净增长值。[0085]在一个实施例中，第一获取单元320包括：排序子单元321，用于每次测试NAND FLASH后，将NAND FLASH中各个数据块对应的块擦写次数净增长值进行降序排序，得到排序后的块擦写次数净增长值。获取子单元322，用于由排序后的块擦写次数净增长值中获取排序在前预设数量的第一块擦写次数净增长值。运算子单元323，用于对预设数量的第一块擦写次数净增长值进行均值运算，得到每次测试NAND FLASH时对应的擦写次数净增长值。[0086]在一个实施例中，分析计算模块400包括：第一计算单元410，用于由测试参数中提取测试次序信息，并根据测试次序信息和擦写次数净增长值计算出测试次序信息和擦写次数净增长值的拟合判定系数。判断单元420，用于根据拟合判定系数判断是否能够得到测试次序信息和擦写次数净增长值之间的线性回归方程；若是，则根据测试次序信息和擦写次数净增长值计算所述线性回归方程的回归系数估算值，并由回归系数估算值求得线性回归方程；若否，则根据测试NAND FLASH时得到的擦写次数净增长值的实际测试值和估计值计算残差，根据残差判定离群点，并将离群点去除后，根据测试次序信息和擦写次数净增长值计算线性回归方程的回归系数估算值，由回归系数估算值求得线性回归方程。[0087]在一个实施例中，分析计算模块400还包括：第三获取单元430，用于获取NAND FLASH的预设标称值。第二计算单元440，用于利用预设标称值以及线性回归方程计算出NAND FLASH的使用寿命。[0088]由于此系统解决问题的原理与前述一种NAND FLASH使用寿命的计算方法相似，因此该系统的实施可以参见前述方法的实施，重复之处不再赘述。[0089]以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。[0090]以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并
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不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
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